一种半导体结构制造技术

本技术公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底；有源区，多个所述有源区并列设置在所述衬底上，且相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构；多个栅极结构，多个所述栅极结构并列设置在所述有源区上，单个所述栅极结构横跨多个所述有源区，且相邻所述栅极结构之间设置有预设距离；检测图形，设置在所述衬底的中心，且位于相邻所述栅极结构之间；源漏极，设置在所述栅极结构两侧；第一接触孔，设置在所述有源区和所述栅极结构的两端；以及检测接触孔，间隔设置在相邻所述栅极结构之间的所述有源区上。本技术提供的一种半导体结构，能够有效测试半导体漏电缺陷，从而提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、一次可编程存储器(one time programable，otp)是常见的存储器之一，在otp中写入信息后，信息将不可再次更改。由于otp的制造工艺较为简单、成本较低，同时otp还具有一定的灵活性，因此otp的应用较为广泛。

2、随着半导体器件的特征尺寸(critical dimension，cd)进入深亚微米阶段，在otp制备过程中，金属硅化物管状缺陷(silicide piping)是造成otp漏电以及电路功能异常的重要失效模式。现行监测silicide piping方法主要是依据晶圆接受测试(waferacceptance test，wat)的电性测量以及亮电压衬度检测(bright voltage contrastinspection，bvc inspection)，但在otp的特殊结构处，难以准确检测到bvc。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种半导体结构，能够监控不同栅极结构间距下金属硅化物管状延伸缺陷状况，从而提高特本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构的形状为长条形，且多个所述栅极对称设置在所述检测图形的两侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测图形的形状与所述栅极结构的形状相同，且横跨多个所述有源区设置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测图形的数量至少为1个，且所述检测图形的两端设置有第一接触孔。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括第一栅极，所述第一栅极远离所述检测图形设置。

6.根据权利要求5所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构的形状为长条形，且多个所述栅极对称设置在所述检测图形的两侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测图形的形状与所述栅极结构的形状相同，且横跨多个所述有源区设置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述检测图形的数量至少为1个，且所述检测图形的两端设置有第一接触孔。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括第一栅极，所述第一栅极远离所述检测图形设置。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括第三栅极，所述第三栅极靠近所述检测图...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，韩领，丁贤林，冯玲，郑晓，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：