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本技术公开了一种半导体结构，属于半导体技术领域，所述半导体结构至少包括：衬底；有源区，多个所述有源区并列设置在所述衬底上，且相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构；多个栅极结构，多个所述栅极结构并列设置在所述有源区上，单个所述栅极结构横跨多个...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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