背照式图像传感器及其制备方法、电子设备技术

本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，包括：衬底、格栅，以及位于衬底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、层叠沟槽隔离结构；衬底内包括经由第一表面向衬底内延伸，且沿所述第一方向间隔排布的多个隔离结构；隔离结构与其正上方一对一设置的层叠沟槽隔离结构接触连接；格栅位于一对一设置的层叠沟槽隔离结构的正上方；光电二极管包括沿背离衬底的方向依次层叠的隔离层、SiAs层、中间光敏层、SiP盖层；中间光敏层包括沿第一方向交替排布的SiP层、SiSb层。能够避免制备光电二极管工艺中IMP造成的不必要损伤，减少暗电流，提高量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

1、图像传感器作为一种被广泛应用于消费电子、安防监控、汽车电子、机器视觉等众多领域的光电转换器件。根据金属线路与光接收层的放置位置，将其分为前照式和背照式两种，其中，背照式（backside illuminated，bsi）图像传感器具有更高的灵敏度、更好的布线布局以及允许高速记录等优点，常应用于对图像传感器像素性能要求较高的领域。

2、然而，在进入深亚微米工艺的当今，传统的bsi前段制程中需要采用高能量离子植入（ion implantation，imp）制备二极管结构，以形成光敏区的方式，将可能导致衬底表面损伤。不均匀的离子注入还会导致不同像素之间的信号串扰，从而阻碍bsi图像传感器性能的进一步发展和市场上的大规模生产。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的技术问题，提供一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，至少能够避免背照式图像传感器在制备光电二极管过程中因imp造成的不必要损伤。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底、格栅，以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、层叠沟槽隔离结构；

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述层叠沟槽隔离结构包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构、第三沟槽隔离结构；

3.根据权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，包括如下特征中至少一个：

4.根据权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，所述第二沟槽隔离结构的底面位于所述第一沟槽隔离结构的顶面以内；以及>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底、格栅，以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、层叠沟槽隔离结构；

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述层叠沟槽隔离结构包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构、第三沟槽隔离结构；

3.根据权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，包括如下特征中至少一个：

4.根据权利要求2所述背照式图像传感器，其特征在于，所述第二沟槽隔离结构的底面位于所述第一沟槽隔离结构的顶面以内；以及

5.根据权利要求1-4任一项所述背照式图像传感器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：