电容耦合结构、芯片及电子设备制造技术

本申请公开了一种电容耦合结构、芯片及电子设备。该电容耦合结构包括至少一个电容器组，该电容器组用于提供多电容匹配，每个电容器组包括至少一层金属层，每层金属层包括：公共极板，公共极板包括沿第一方向延伸的公共基板和沿第二方向延伸且与公共基板相连的隔离极板和指状极板；以及多个梳齿状的独立极板，各独立极板分别与公共极板形成电容，其中，至少两条公共基板经隔离极板相连以围成多个相互隔断的区域，每个独立极板在相应的区域被该区域内的公共基板和隔离极板环绕，并与该区域内的隔离极板和指状极板形成插指结构。通过公共极板隔离同一电容器组内的各独立极板间以及不同电容器组间的独立极板，有效减小了不同独立极板间的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种电容耦合结构、芯片及电子设备。

技术介绍

1、在集成电路设计中，经常有电容匹配的需求，特别是一些高性能的模拟电路，比如adc（analog-to-digital converter，模数转换器），dac（digital-to-analog converter，数模转换器）等，都有大量匹配电容的设计。

2、图1给出了一种串行电荷再分配dac的简化电路。如图1所示的dac包括4个开关s1-s4、2个等值电容c1和c2以及一个基准电压源vref。具体地，开关s1被称为重分配开关，用于将c1和c2并联，使c1和c2的电压通过电荷重分配求平均且相等；开关s2和s3用于根据数据位码值将电容c1预充电至vref或0；开关s4用于在转换开始时对电容c2进行初始放电。

3、在现有技术中，对于并联电容（例如图1中的电容c1和电容c2）通常采用mom(metal-oxide-metal，金属-氧化物-金属)电容结构。图2示出了现有的mom电容结构。如图2所示，mom电容器100的上极板110和下极板120使用同层金属并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容耦合结构，其中，所述电容耦合结构包括至少一个电容器组，所述电容器组用于提供多电容匹配，每个所述电容器组包括至少一层金属层，每层所述金属层包括：

2.根据权利要求1所述的电容耦合结构，其中，

3.根据权利要求2所述的电容耦合结构，其中，所述电容器组包括多层所述金属层，各所述金属层的相应区域在所述金属层的层叠方向上的投影区域重叠，

4.根据权利要求3所述的电容耦合结构，其中，各所述金属层的所述区域呈阵列排布，所述区域包括对角分布的第一区域和第二区域以及对角分布的第三区域和第四区域，

5.根据权利要求4所述的电容耦合结构，其中，所述金...

【技术特征摘要】

1.一种电容耦合结构，其中，所述电容耦合结构包括至少一个电容器组，所述电容器组用于提供多电容匹配，每个所述电容器组包括至少一层金属层，每层所述金属层包括：

2.根据权利要求1所述的电容耦合结构，其中，

3.根据权利要求2所述的电容耦合结构，其中，所述电容器组包括多层所述金属层，各所述金属层的相应区域在所述金属层的层叠方向上的投影区域重叠，

4.根据权利要求3所述的电容耦合结构，其中，各所述金属层的所述区域呈阵列排布，所述区域包括对角分布的第一区域和第二区域以及对角分布的第三区域和第四区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李博，
申请(专利权)人：北京集创北方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：