HEMT器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件的制备方法包括以下步骤：提供一半导体结构，半导体结构包括叠层结构、源/漏极、帽层及与帽层电连接的栅极，叠层结构包括层叠的沟道层、势垒层及层间介质层，源极贯穿层间介质层并与势垒层电连接，漏极贯穿层间介质层并与势垒层电连接，帽层位于源极与漏极之间的势垒层的上表面，层间介质层覆盖帽层，栅极贯穿帽层上方的层间介质层；自沟道层背离层间介质层的一面向叠层结构进行离子注入以形成位于势垒层及沟道层中的隔离层，隔离层位于源极与漏极之间区域的外围。本发明专利技术通过自叠层结构的背面注入形成隔离层的离子，降低了工艺难度，避免了层间介质层的损伤，提升了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种hemt器件及其制备方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料氮化镓(gan)因其具有较宽的禁带宽度和较高的电子饱和速度，成为高压和高频应用的理想候选材料，常用于制作高电子迁移率晶体管(highelectron mobility transistor，简称hemt)。

2、目前，在制作hemt器件的过程中，通常是在外延形成层叠的氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、p型氮化镓栅及层间介质层之后，从层间介质层的正面向氮化镓沟道层和氮化铝镓势垒层中注入离子，以在氮化镓沟道层和氮化铝镓势垒层之间的界面处形成阻断电子气层的高阻隔离层，然后再进行hemt器件的源极、栅极及漏极的制作。但是由于形成隔离层的高能离子穿过层间介质层进入氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层时，会破坏层间介质层的结构，使层间介质层损伤，层间介质层的介电性能下将，导致层间介质层发生正面击穿的风险较高，影响器件的可靠性。同时由于层间介质层的厚度影响，导致离子注入的能量较大，极大地增加了工艺的难度。

3、因此，急需寻找一种降低制作隔离层难度同时提升器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述势垒层的上表面设有多个所述帽层，所述源极、所述帽层、所述漏极及所述帽层依次交替间隔排列。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述势垒层上表面还设有连接部，在所述帽层排列的方向上，所述连接部与所述源极间隔预设距离且与所述源极两侧的所述帽层连通。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件的制备方法，其特征在于：所述叠层结构中还设有衬底，所述沟道层堆叠于所述衬底的上表面。

5.根据权利要求4所述的HEM...

【技术特征摘要】

1.一种hemt器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的hemt器件的制备方法，其特征在于：所述势垒层的上表面设有多个所述帽层，所述源极、所述帽层、所述漏极及所述帽层依次交替间隔排列。

3.根据权利要求2所述的hemt器件的制备方法，其特征在于：所述势垒层上表面还设有连接部，在所述帽层排列的方向上，所述连接部与所述源极间隔预设距离且与所述源极两侧的所述帽层连通。

4.根据权利要求1所述的hemt器件的制备方法，其特征在于：所述叠层结构中还设有衬底，所述沟道层堆叠于所述衬底的上表面。

5.根据权利要求4所述的hemt器件的制备方法，其特征在于：对所述叠层结构进行离子注入之前，还包括自所述衬底的背面减薄所述衬底的步骤。

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【专利技术属性】
技术研发人员：孙川希，雷嘉成，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：