化学机械抛光剂及化学机械抛光工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光剂及化学机械抛光工艺，以化学机械抛光剂的总质量计，化学机械抛光剂包括以下组分及重量百分含量：无机纳米颗粒10～60wt％；化学添加剂0.1～10wt％，以及pH调节剂和水；无机纳米颗粒至少包括二氧化铈纳米颗粒、二氧化硅纳米颗粒和金刚石纳米颗粒。本发明专利技术的化学机械抛光剂包括无机纳米颗粒，且无机纳米颗粒至少包括二氧化铈纳米颗粒、二氧化硅纳米颗粒和金刚石纳米颗粒，适用于抛光硬度更大的衬底如SiC衬底、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;衬底、金刚石衬底等，同时该化学机械抛光剂大幅度地提高了抛光的效率，提升了抛光厚度的均匀性，另外，无机纳米颗粒的纳米尺寸也抑制了化学机械抛光工艺中常见的划伤缺陷，为半导体器件良率的稳定性提供了足够的保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件相关，具体地说，涉及一种化学机械抛光剂及化学机械抛光工艺。

技术介绍

1、在集成电路的制造过程中，随着特征尺寸的缩小和金属互连层数的增加，对晶圆表面的平整度的要求也越来越高。目前，化学机械抛光工艺(chemical mechanicalpolishing，cmp)是最有效的全局平坦化技术。化学机械抛光工艺是将晶圆由旋转的抛光头夹持，并将其以一定压力压在旋转的抛光垫上，由磨粒和化学溶液组成的抛光剂在晶圆和抛光垫之间流动，晶圆表面在化学和机械的共同作用下实现平坦化。在实际化学机械抛光过程中，抛光后的晶圆表面厚度不均匀的问题比较显著，晶圆表面厚度不均匀在很大程度上影响了产品的优良率。

2、现有技术中公开的化学机械抛光剂主要包括无机抛光剂和化学添加剂两部分，并用ph调节剂进行调节，一般的无机抛光剂采用胶体二氧化硅。由于集成电路芯片领域对材料的表面的性能要求高，对于不同的材料应用化学机械抛光技术进行抛光时获得的效果也不一样。不同组分的化学机械抛光剂都会最终影响材料的性能。现有技术中化学机械抛光剂中在应用时，为了达到良好的抛光质量，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械抛光剂，其特征在于，以所述化学机械抛光剂的总质量计，所述化学机械抛光剂包括以下组分及重量百分含量：

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，以所述化学机械抛光剂的总质量计，所述金刚石纳米颗粒的质量百分含量为0.1～20wt％；

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述金刚石纳米颗粒的粒径为0.1～10nm。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述二氧化铈纳米颗粒的粒径为1～20nm。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述二氧化硅纳米颗粒的粒径为1～20nm。<...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械抛光剂，其特征在于，以所述化学机械抛光剂的总质量计，所述化学机械抛光剂包括以下组分及重量百分含量：

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，以所述化学机械抛光剂的总质量计，所述金刚石纳米颗粒的质量百分含量为0.1～20wt％；

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述金刚石纳米颗粒的粒径为0.1～10nm。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述二氧化铈纳米颗粒的粒径为1～20nm。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光剂，其特征在于，所述二氧化硅纳米颗粒的粒径为1～20nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘聪，董信国，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：