【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对在衬底的表面露出的基底进行蚀刻的处理(例如参见专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-160962号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、本专利技术的目的在于提供能够提高蚀刻的控制性的技术。
3、用于解决课题的手段
4、根据本专利技术的一方案，提供进行将非同时进行下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻的工序的技术：
5、(a)向在衬底的表面露出的基底供给改性剂，在所述基底的表面形成改性层的工序；和
6、(b)向所述改性层供给含卤素气体，使所述改性层与所述含卤素气体反应以产生含卤素自由基，使该含卤素自由基与所述基底反应的工序。
7、本申请涉及下述项：
8、项1、半导体器件的制造方法，其具...
【技术保护点】
1.处理方法，其具有将包含下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻的工序：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素气体与所述层的反应比所述含卤素气体与所述基底的反应更易于进行的条件下供给所述含卤素气体。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素气体与所述层的反应进行、所述含卤素气体与所述基底的反应不进行的条件下供给所述含卤素气体。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，利用通过所述含卤素气体与所述层的反应产生的所述含卤素自由基对所述基底进行蚀刻。
5.根据...
【技术特征摘要】
1.处理方法，其具有将包含下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻的工序：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素气体与所述层的反应比所述含卤素气体与所述基底的反应更易于进行的条件下供给所述含卤素气体。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素气体与所述层的反应进行、所述含卤素气体与所述基底的反应不进行的条件下供给所述含卤素气体。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其中，在(b)中，利用通过所述含卤素气体与所述层的反应产生的所述含卤素自由基对所述基底进行蚀刻。
5.根据权利要求4所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素自由基与所述基底的反应比所述含卤素气体与所述基底的反应更易于进行的条件下供给所述含卤素气体。
6.根据权利要求4所述的处理方法，其中，在(b)中，在所述含卤素自由基与所述基底的反应进行、所述含卤素气体与所述基底的反应不进行的条件下供给所述含卤素气体。
7.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述改性剂包含含硅气体，
8.根据权利要求1所述的处理方法，其中，所述改性剂包含氨基硅烷，
9.根据权利要求7所述的处理方法，其中，在(a)中，在硅向所述基底的表面的吸附饱和的条件下供给所述改性剂。
10.根据权利要求7所述的处理方法，其中，在(a)中，在硅向所述基底的表面的吸附产生自限性的条件下供给所述改性剂。
11.根据权利要求8所述的处理方法，其中，在(a)中，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：出贝求，中谷公彦，中川崇，早稻田崇之，桥本良知，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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