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本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。课题为提高蚀刻的控制性。通过将非同时进行下述工序的循环进行规定次数以对基底进行蚀刻：(a)向在衬底的表面露出的基底供给改性剂，在基底的表面形成改性层的工序；和(b)向改性层供给含...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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