一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆技术

本发明专利技术公开了一种SiC栅极沟槽型功率器件，包括：设置为第一导电类型的衬底层；设置为第一导电类型的外延层，位于所述衬底层的一侧，所述外延层远离所述衬底层的一侧设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括至少一弧形段；所述外延层包括设置为第二导电类型的阱区；以及设置为第一导电类型的第一区域，位于所述阱区远离所述衬底层的一侧；栅极结构，位于所述栅极沟槽内，所述栅极结构包括栅极，所述栅极和所述阱区接触；源极，位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；漏极，位于所述衬底层远离所述外延层的一侧。本发明专利技术的SiC沟槽型功率器件，栅极沟槽设置成圆弧形，使得栅极沟槽底部电场分布均匀，避免槽角处电场加剧，氧化层不容易击穿。本发明专利技术还公开了一种SiC沟槽型功率器件的制备方法、功率模块、转换电路和车辆。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体地说，本专利技术涉及一种sic沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆。

技术介绍

1、现有技术中，如图7所示，功率器件采用了不对称的栅极沟槽结构，栅极沟槽的左侧壁包含了mos沟道(金属氧化物半导体沟道)，它被对准到(11-20)平面，以实现最佳的沟道迁移率。

2、栅极沟槽底部下方的p型区域，通过在栅极沟槽底部嵌入p+区增加了体二极管面积，增加了器件在开关瞬间死区的最高电流，增加器件的可靠性。

3、现有的栅极沟槽型功率器件，sic(碳化硅)漂移区的高电场导致栅氧化层上的电场很高，槽角及底部的直角(或钝角)结构使电场加剧，氧化层易击穿。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种sic栅极沟槽型功率器件，目的是确保氧化层不容易击穿。

2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种sic栅极沟槽型功率器件，包括：

3、设置为第一导电类型的衬底层；>

4、设置为第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC栅极沟槽型功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SiC栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述栅极结构还包括栅氧化层，所述栅氧化层位于所述栅极和所述栅极沟槽之间，所述栅氧化层覆盖所述栅极沟槽并延伸至所述外延层远离所述衬底层的一面。

3.根据权利要求1或2所述的SiC栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述外延层还包括设置为第二导电类型的第二区域，所述第二区域位于所述阱区远离所述衬底层的一侧并和所述第一区域接触。

4.根据权利要求3所述的SiC栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述外延层还包括设置为第二导电类型的第三区域，所述第三区域...

【技术特征摘要】

1.一种sic栅极沟槽型功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sic栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述栅极结构还包括栅氧化层，所述栅氧化层位于所述栅极和所述栅极沟槽之间，所述栅氧化层覆盖所述栅极沟槽并延伸至所述外延层远离所述衬底层的一面。

3.根据权利要求1或2所述的sic栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述外延层还包括设置为第二导电类型的第二区域，所述第二区域位于所述阱区远离所述衬底层的一侧并和所述第一区域接触。

4.根据权利要求3所述的sic栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述外延层还包括设置为第二导电类型的第三区域，所述第三区域位于栅极沟槽的底部。

5.根据权利要求4所述的sic栅极沟槽型功率器件，其特征在于，所述栅极、所述阱区、所述第一区域和所述第二区域均关于所述栅极沟槽对称设置有两个。

6.权利要求1至5任一所述的sic栅极沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的sic沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，在所述外延层远离所述衬底层的一侧形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：