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本发明公开了一种SiC栅极沟槽型功率器件，包括：设置为第一导电类型的衬底层；设置为第一导电类型的外延层，位于所述衬底层的一侧，所述外延层远离所述衬底层的一侧设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括至少一弧形段；所述外延层包括设置为第二导电类型的阱区...
该专利属于安徽长飞先进半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽长飞先进半导体股份有限公司授权不得商用。

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