【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种铁电存储器及其制造方法。
技术介绍
1、铁电存储器(feram)是在后道工艺(back end of line，简称beol)中集成存储单元(cell)的器件，其为存储单元插入相邻两金属层之间的构造。存储单元一般由上、下电极层及中间的铁电存储层组成，铁电存储器的存储性能与存储单元中铁电存储层及电极层的有效面积成正比。传统的铁电存储器中的存储单元中的铁电存储层的材料通常为相变材料或者铁电材料，且传统的存储单元为三维立体结构。但是，传统的存储结构在单个存储孔内形成，存储结构的有效面积取决于存储孔的内壁面积。然而，随着铁电存储器尺寸的不断缩小，存储孔的尺寸也不短缩小，从而导致存储结构的有效面积也相应缩小，限制了铁电存储器性能的提升。另外，随着存储孔尺寸的不断缩小，深孔刻蚀工艺的窗口不断缩小，从而增大了铁电存储器制造工艺的难度。
2、因此，如何提高存储结构的有效面积，从而改善铁电存储器的性能和制造良率，同时简化铁电存储器的制造工艺，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现
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1.一种铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述基底还包括贯穿所述第一介质层的第二接触结构，且所述第一接触结构与所述第二接触结构沿第二方向排布，所述第二方向与所述衬底的顶面平行；于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结...
【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述基底还包括贯穿所述第一介质层的第二接触结构，且所述第一接触结构与所述第二接触结构沿第二方向排布，所述第二方向与所述衬底的顶面平行；于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔的具体步骤包括：
5.根据权利要求3所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构的外周分布且暴露所述第一接触结构的侧壁的存储孔的具体步骤包括：
6.根据权利要求5所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，形成连续覆盖所述存储孔的内壁、所述第一接触结构的侧壁和所述第一接触结构的顶面的存储结构的具体步骤包括：
7.根据权利要求6所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，形成至少连续覆盖所...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓峰，冯浩，丁甲，张继伟，胡林辉，周华，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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