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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种铁电存储器及其制造方法。所述铁电存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上方的第一介质层以及贯穿所述第一介质层的第一接触结构；于所述第一介质层内形成环绕所述第一接触结构...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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