【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及晶体管领域，并且更具体地涉及高电子迁移率晶体管(也称为hemt)领域。
技术介绍
1、hemt晶体管依赖于在其表面形成二维电子气(也称为2deg)的异质结。
2、存在改进hemt晶体管及其制造方法的需要。
技术实现思路
1、为了实现这一点，实施例提供了一种hemt晶体管，包括：
2、第一半导体层；
3、栅极，位于第一半导体层的第一面上；以及
4、第一钝化层，由第一介电材料制成，在第一半导体层的所述第一面、栅极的侧面以及栅极的与第一半导体层相反的面的至少外围部分之上延伸，
5、其中由第二介电材料制成的第二钝化层在栅极的所述面和第一钝化层之间延伸，栅极的所述侧面没有所述第二钝化层。
6、根据一些实施例，第一半导体层是基于氮化镓的层。
7、根据一些实施例，第一半导体层由氮化铝镓制成。
8、根据一些实施例，第一钝化层由氧化铝制成。
9、根据一些实施例，第二钝化层由氮化物制成
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【技术保护点】
1.一种HEMT晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，包括在与第一面相对的第二面上与第一半导体层的第二面接触的第二半导体层。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，包括分别位于栅极的任一侧上的源极接触金属化部和漏极接触金属化部。
4.一种装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，其中栅极层的第二面包括开口，第一钝化层和第二钝化层覆盖除所述开口之外的第二面。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，其中所述半导体叠层包括：
【技术特征摘要】
1.一种hemt晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，包括在与第一面相对的第二面上与第一半导体层的第二面接触的第二半导体层。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，包括分别位于栅极的任一侧上的源极接触金属化部和漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·康斯坦特，F·尤科纳洛，C·特林加利，M·E·卡斯塔尼亚，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：新型
国别省市：
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