【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件。
技术介绍
1、功率二极管是电路系统的关键部件，功率二极管正向着两个重要方向拓展：(1)向几千万乃至上万安培发展，可应用于高温电弧风洞、电阻焊机等场合；(2)反向恢复时间越来越短，呈现向超快、超软、超耐用方向发展，使自身不仅用于整流场合，在各种开关电路中有着不同作用。为了满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求对其的耐压、导通电阻、开启压降、反向恢复特性、高温特性等越来越高。
2、常应用的有普通整流二极管、肖特基二极管、pin（positive-intrinsic-negative，正-本征-负）二极管。它们相互比较各有特点:肖特基整流管具有较低的通态压降，较大的漏电流，反向恢复时间几乎为零。而pin二极管具有较快的反向恢复时间，较小的漏电流，但其通态压降很高。
3、当前，随着微电子器件向低功耗、高耐压、高可靠性方向的发展，对半导体材料的要求也逐渐提高。微电子器件越来越多的应用在高温、高辐照、高频和大功率等特殊环境。为了满足微电子器...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二外延层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于部分的所述沟槽中，所述第二部分位于所述外延层本体的远离所述衬底的部分表面上，所述第三外延层位于所述第一部分的远离所述衬底的表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分和所述第二子部分分别位于所述沟槽的两侧。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二外延层包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于部分的所述沟槽中，所述第二部分位于所述外延层本体的远离所述衬底的部分表面上，所述第三外延层位于所述第一部分的远离所述衬底的表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分和所述第二子部分分别位于所述沟槽的两侧。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二外延层的厚度与所述第三外延层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李理，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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