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本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上，第一外延层包括外延层本体和沟槽，沟槽位于外延层本体中；第二外延层，至少位于部分的沟槽中，第二外延层的掺杂类型与第一外延层的掺...
该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。

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