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本公开涉及HEMT晶体管及装置。一种HEMT晶体管，包括：第一半导体层；位于第一半导体层的第一面上的栅极；以及由第一介电材料制成的第一钝化层，其在第一半导体层的所述第一面、栅极的侧面以及栅极的与第一半导体层相反的面的至少外围部分之上延伸，其...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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