【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在半导体行业中，互补金属氧化物半导体(complementary metal－oxide－semiconductor，cmos)由n型金属氧化物半导体（n-metal-oxide-semiconductor，nmos）和p型金属氧化物半导体（p-metal-oxide-semiconductor，pmos)组成，用于设计逻辑功能，并且具有高速、低功耗以及高噪声容限的优点。cmos需要在一定范围的源电压和输入电压下工作，nmos和pmos各自的电性波动会对cmos的工作性能产生巨大影响，通常使用n/p ratio（即nmos与pmos电性比值）来衡量cmos受到nmos和pmos电性波动的影响，即n/p ratio需稳定在一定范围内，才不会影响到器件的正常工作。针对半导体结构电性的调整，大多通过调整离子注入（ion implantation）的方式来实现，即通过改变掺杂植入时离子的energy/dose（能量/剂量)来实现对衬底掺杂剂量的控制，进而达到调节半导体电性的效
2本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型的阱区的形成步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述栅极结构的侧壁依次形成氧化物侧墙和钝化侧墙之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述热氧化氛围中，所述氧化物侧墙中氧离子与所述第一导电类型的阱区中的硼离子、所述衬底中的硼离子形成共价键。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述钝化侧墙包括氮化硅侧墙，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型的阱区的形成步骤包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述栅极结构的侧壁依次形成氧化物侧墙和钝化侧墙之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述热氧化氛围中，所述氧化物侧墙中氧离子与所述第一导电类型的阱区中的硼离子、所述衬底中的硼离子形成共价键。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述钝化侧墙包括氮化硅侧墙，所述钝化侧墙的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：关徐东，邵迎亚，陈文璟，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。