【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置。
技术介绍
1、半导体光电子领域，vcsel（垂直腔面发射激光器）芯片因其卓越的性能和广泛的应用前景，成为研究的热点。刻蚀技术作为vcsel芯片制造的关键步骤，直接影响着芯片的性能和成品率。现有vcsel芯片刻蚀工艺控制方法多依赖于预设参数和操作者的经验，通过设定刻蚀时间、功率、气体流量等参数实现对刻蚀过程的控制。然而，参数的静态设定难以应对不同芯片和刻蚀层的差异，导致刻蚀效果一致性差；另一方面，参数间复杂的耦合关系使得工艺优化困难，难以实现对刻蚀过程的精确控制，导致刻蚀质量波动大，影响了vcsel芯片的成品率和性能。
技术实现思路
1、本申请提供了vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法及装置，解决了现有刻蚀工艺控制采用固定工艺参数设定，难以根据不同芯片和刻蚀层的差异灵活调整刻蚀工艺过程，导致刻蚀效果一致性差的技术问题，达到了提高vcsel芯片刻蚀的精确度和产品一致性的技术效果。
2、鉴于上述问题，一方面，本申...
【技术保护点】
1.VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对VCSEL芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立VCSEL芯片刻蚀控制配准空间，包括：
3.如权利要求2所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，判断所述芯片刻蚀目标层是否为单一刻蚀目标层，包括：
4.如权利要求1所述的VCSEL芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述VCSEL芯片刻蚀控制配准...
【技术特征摘要】
1.vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，根据所述芯片刻蚀目标层对应的刻蚀目标层信息对vcsel芯片刻蚀工艺因子进行配准关联，建立vcsel芯片刻蚀控制配准空间，包括：
3.如权利要求2所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，判断所述芯片刻蚀目标层是否为单一刻蚀目标层，包括：
4.如权利要求1所述的vcsel芯片刻蚀工艺质量控制方法，其特征在于，基于所述刻蚀目标层信息，根据所述芯片刻蚀质量约束对所述vcsel芯片刻蚀控制配准空间进行刻蚀决策，生成满足预定刻蚀决策容量的vcsel芯片刻蚀决策空间，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：周莉，唐杰，胡世棋，杨陈浩，顾志强，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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