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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供半导体初始结构，包括衬底，以及依次形成于衬底内层叠的深阱区、第一导电类型的阱区和第二导电类型的有源区；衬底掺杂有硼元素；于有源区远离深阱区的表面形成栅极结构；于栅极结构的...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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