【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种功率二极管及其制备方法。
技术介绍
1、常应用的有普通整流二极管、肖特基二极管、pin二极管和混合pin/肖特基二极管（mps）。它们相互比较各有特点：肖特基整流管具有较低的通态压降，较大的漏电流，反向恢复时间几乎为零；pin可以快恢复整流管具有较快的反向恢复时间，但其通态压降很高；mps可以降低器件电阻，并且不会增加器件的漏电流。
2、当前，随着微电子器件向低功耗、高耐压、高可靠性方向的发展，对半导体材料的要求也逐渐提高。微电子器件越来越多的应用在高温、高辐照、高频和大功率等特殊环境。为了满足微电子器件在耐高温和抗辐照等领域的应用，需要研发新的半导体材料，从而最大限度地提高微电子器件性能。传统的硅器件和砷化镓器件限制了装置和系统性能的提高。以碳化硅（sic）和氮化镓（gan）为代表的第三代半导体材料，由于材料本身的宽禁带宽度和高临界击穿电场等优点成为制作耐高温、高功率和抗辐照等电子器件的理想的半导体材料。目前研究的sic基器件有高温和功率sic器件、微波和高频sic器件、sic光电器件、...
【技术保护点】
1.一种功率二极管，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上第一外延层，所述第一外延层具有第一掺杂类型，所述第一外延层在背离所述衬底的一侧具有多个第一外延沟槽和至少一个第二外延沟槽，所述第二外延沟槽位于任意相邻的所述第一外延沟槽之间，所述功率二极管还包括：
2.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，在第一方向上所述第二外延沟槽的宽度大于所述第一外延沟槽的宽度，其中，所述第一方向平行于所述衬底与所述第一外延层接触的表面。
3.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，在第二方向上所述第二外延沟槽的深度小于所述第一外延沟槽的深度，其中，所述第...
【技术特征摘要】
1.一种功率二极管，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上第一外延层，所述第一外延层具有第一掺杂类型，所述第一外延层在背离所述衬底的一侧具有多个第一外延沟槽和至少一个第二外延沟槽，所述第二外延沟槽位于任意相邻的所述第一外延沟槽之间，所述功率二极管还包括：
2.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，在第一方向上所述第二外延沟槽的宽度大于所述第一外延沟槽的宽度，其中，所述第一方向平行于所述衬底与所述第一外延层接触的表面。
3.根据权利要求1所述的功率二极管，其特征在于，在第二方向上所述第二外延沟槽的深度小于所述第一外延沟槽的深度，其中，所述第二方向垂直于所述衬底与所述第一外延层接触的表面。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的功率二极管，其特征在于，所述第二掺杂类型为p型，所述第一导电层的功函数小于所述第二外延层的功函数，所述第二导电层的功函数大于所述第三外延层的功函数；所述第二掺杂类型为n型，所述第一导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李理，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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