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本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构,第一外延结构包括第二外延层和第一导电层,第二外延层位于第一外延沟槽的内表面,第一导电层位于第一外延沟槽中,其中,第二外延层具有第二掺杂类型,第二外延层和第一导电层形成...该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。
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