半导体封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

1、随着科学技术不断发展，半导体器件的应用范围越来越广，例如，半导体器件能够作为整流器、振荡器、发光器、放大器或者测光器等应用于射频、微波和光学半导体产品领域中。

2、在本领域中，功率半导体器件通常包括壳体、基板和功率半导体芯片（例如碳化硅芯片）；壳体和基板形成安装腔，功率半导体芯片设置在安装腔内，功率半导体芯片通常包括源极和漏极，而功率半导体器件在工作时，源极和漏极之间具有较大的电压差，就需要对壳体和基板的绝缘性能提出较高的要求，一般来说，会在壳体上设置一些凹槽以增加源极和漏极之间或者源极端子和漏极端子之间的沿面距离，从而增强壳体的绝缘性能，但是这样一来或多或少会对壳体的结构强度产生一定的不利影响。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种半导体封装结构，以解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装结构，包括：封装壳，包括基板以及与基板连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一绝缘加强肋（51）的第一端与所述围板（13）连接，所述第一绝缘加强肋（51）的第二端与所述第二绝缘加强肋（52）的中部连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括绝缘胶体层，所述绝缘胶体层与所述基板（12）连接，所述半导体芯片（20）位于所述绝缘胶体层内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二绝缘加强肋（52）与所述围板（13）的内表面之间设置有安装座（134），所述封装壳（10）还包括...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一绝缘加强肋（51）的第一端与所述围板（13）连接，所述第一绝缘加强肋（51）的第二端与所述第二绝缘加强肋（52）的中部连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括绝缘胶体层，所述绝缘胶体层与所述基板（12）连接，所述半导体芯片（20）位于所述绝缘胶体层内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二绝缘加强肋（52）与所述围板（13）的内表面之间设置有安装座（134），所述封装壳（10）还包括盖板（11），所述盖板（11）上设置有安装孔（111），所述盖板（11）通过穿设于所述安装座（134）和所述安装孔（111）的紧固件（60）与所述安装座（134）连接。

5.根据权利要求1、2或4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括第一金属板（71），所述第一金属板（71）连接在所述基板（12）和所述半导体芯片（20）之间，所述第一金属板（71）与所述半导体芯片（20）的漏极电连接，所述第一端子（30）与所述第一金属板（71）电连接。

6.根据权利要求5中所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括设置在所述基板（12）上的第二金属板（72）和绝缘凸块，所述第二金属板（72）与所述半导体芯片（20）的源极电连接，所述第二端子（40）与所述第二金属板（72）电连接，所述第二金属板（72）与所述第一金属板（71）间隔设置，所述绝缘凸块设置在所述第一金属板（71）和所述第二金属板（72）之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括第三端子（90）和设置在所述基板（12）上的第三金属板（73），所述第三金属板（73）与所述半导体芯片（20）的栅极电连接，所述第三端子（90）与所述第三金属板（73）电连接，所述第三金属板（73）和所述第二金属板（72）位于所述绝缘凸块的同一侧。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文源，张朋，李学宝，金锐，崔翔，李哲洋，赵志斌，郑超，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：