【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化成箔生产，具体涉及一种提高比容、降低升压时间和漏电流的中高压电极箔预处理方法。
技术介绍
1、电容器在电子线路中具有滤波，耦合及储能的功能，是各种电子产品中不可替代的基础元件，在各领域有着广泛的应用。铝化成箔是电容器常用的电极材料，作为电容器的阳极，铝化成箔的性能很大程度上决定着电容器的性能，是电容器的设计、生产和应用时重点考量的因素。
2、衡量化成箔性能优劣的参数主要包括：升压时间，漏电流，比容，水煮后升压时间，氯离子残留量等。化成箔的升压时间和漏电流影响电容器的性能和使用寿命，化成箔升压时间长、漏电流大会导致电容器生产时老化合格率低、老化时间长，影响总良率和生产效率，还可能造成电容器漏电流回升增大，甚至引发电容器早期的失效。因此，在目前化成箔朝着高耐压、高比容的趋势发展的同时，对其漏电流和升压时间的要求也越来越严苛。
3、cn103177878a公开了一种超高压阳极箔形成方法，其将超高压腐蚀箔在130～150℃的水蒸气中静置5～20min；取出在60～80℃含0.2～1.0wt％的柠檬酸氢二铵溶液中浸泡1～5min；取出进行后续形成处理。采用该方法能够使所形成的阳极箔性能稳定，升压时间小于200s，产品漏电流小于25μa/cm2。然而其升压时间仍然偏高，且由于该方法生产的是超高压阳极箔，并不适用于中高压阳极箔。
4、cn111613446a公开一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，在电化学氧化过程中加入超声处理步骤，加速反应过程中孔隙内气泡的溶出，减少了氧化膜缺陷的产生，在
5、cn113026073a一种特高压电极箔的化成方法，涉及电极箔
，包括如下步骤：
6、步骤1：将腐蚀箔在温度95℃以上的硅酸盐溶液中浸煮，得到预处理箔；步骤2：将预处理箔在硼酸、五硼酸铵溶液中化成，得到一级化成箔；步骤3：将一级化成箔在硼酸、五硼酸铵溶液中化成，得到二级化成箔；步骤4：将二级化成箔在硼酸、五硼酸铵、戊烯二酸铵溶液中经多级化成，得到最终的化成箔产品；本专利技术的有益效果为：电解液成份简单易于生产控制，废水处理相对简单；本专利技术不通过降低化成液电导率来提高闪火电压，化成过程的无效电量损耗大大降低，化成箔表面无闪火斑，氧化膜介电性能好，产品升压时间小于150秒，漏电流小于12μa/cm2，适合于1000-1500v特高压电极箔的生产需要。但该方法中，预处理步骤的目的仅在于提高闪火电压；其漏电流与升压时间与其化成工艺有关，即该方法通过高含量硼酸降低升压时间和漏电流，但这必然导致其比容很低。
7、cn114197004b公开了一种用于铝电解电容器的中高压化成箔化成方法，其通过特定的工步设计，水合处理能够在铝箔表面上形成一层水合氧化膜，其为后续形成晶型氧化膜提供基础；一级化成处理和二级化成处理能够在铝箔表面形成基础氧化膜，采用磷酸氢铵盐、次亚磷酸盐和反丁烯乙二酸能够生成难溶于水的物质磷化膜和反丁烯乙二酸聚合膜，抑制铝与水的反应，提高抗水合性能；三级化成处理、四级化成处理、五级化成处理、六级化成处理在铝箔表面形成稳定的氧化膜，提升比容。该方法在整个化成过程中不含硼元素，且本化成方法制得的中压化成箔和高压化成箔均具有高比容、高折弯性和高抗水合性。但专利技术人在生产中发现，该方法漏电流性能较差。然而本领域内，由于化成箔制作的电容器用在何种领域的需求，决定了化成箔注重或偏向某一个性能参数，如果提高硼酸含量，虽然漏电流会改善，但比容会降低。因此专利技术人思考如何在保证中高压化成箔其他性能的情况下，提高漏电流性能。
8、cn109859949a公开了一种降低中高压化成箔漏电流的方法，包括：将腐蚀箔或层积箔依次进行前处理、四级化成、第一次热处理、第一次浸渍、第一次补形成处理、第二次浸渍、第二次补形成处理、第二次热处理、第三次补形成处理、第三次浸渍和后处理，得到化成箔。所述前处理包括水合处理和溶液浸渍处理。该方法通过将水合处理之后的腐蚀箔或层积箔，浸入有机酸溶液或弱碱性无机盐溶液中进行溶液浸渍处理，去除氧化膜最外层的疏松多孔水合氧化物层，并改善水合氧化膜的性质，从而降低漏电流增加电解电容器使用寿命。但该方法中，有机酸溶液或弱碱性无机盐溶液虽然具备溶解有瑕疵的疏松多孔水合氧化物层的效果但其预处理效果一般；且该方法中通过高硼酸提高漏电流性能，但是比容显著降低。
9、cn114540908a公开了一种高质量低压阳极箔的化成处理方法，包括在赋能时，加入超声处理；将赋能后阳极箔进行化成处理；将需要化成处理的阳极箔放入到在二酸铵溶液中化成，并在化成时加入电流，得到一级化成箔；将一级化成箔在二酸铵溶液中化成，得到二级化成箔；将二级化成箔在二酸铵溶液中化成，并在化成时加入电流，得到三级化成箔；将三级化成箔在二酸铵溶液中进行化成，重复多级化成，得到六级化成箔；将得到的六级化成箔进行去极化处理；将经过去极化处理阳极箔进行后化成等处理，得到最终的化成箔产品。该方法通过在赋能时，加入超声处理，使反应过程中铝箔孔隙内气泡加速溶出，增加氧化膜形成的质量，减少氧化膜的缺陷；通过六级化成，提高氧化膜的均匀性和致密性；钝化处理时，提高氧化膜的抗水合性和耐潮湿性，以及电极箔的使用寿命。但该方法仅适用于低压箔，其原因为低压箔是硬态箔，抗拉性很高，超声过程不会影响箔的形状；然而中高压是软态箔，在超声过程中会使箔的形状发生改变，虽然形成氧化膜后，铝箔硬度增加，但是脆性也增加，容易被超声处理影响形状，甚至铝箔断裂。因此其方法并不适用于中高压化成箔。
技术实现思路
1、本专利技术为同时实现中高压电极箔比容的提高，以及漏电流、升压时间和水煮后升压时间的降低，提高高压电极箔综合性能，对中高压电极箔的预处理工艺进行了深入研究。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种提高比容、降低升压时间和漏电流的中高压电极箔预处理方法，其包括以下步骤：
3、a、前处理：将腐蚀箔置于水中进行超声处理；
4、b、水煮处理：将前处理后的腐蚀箔置于水中进行水煮；
5、c、预处理液处理：将水煮后的腐蚀箔置于预处理液中进行超声处理，然后进行清洗，得预处理箔；
6、其中，步骤a中，所述超声处理的温度为45～60℃，频率为30本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.提高比容、降低升压时间和漏电流的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤A中，所述超声处理的温度为50～55℃，频率为50kHz，时间为4～5min。
3.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤A中，所述腐蚀箔为经过腐蚀的纯度为99.99wt％的铝箔。
4.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤B中，所述水煮的温度为85～100℃，时间为3～20分钟。
5.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤C中，所述次亚磷酸类及其盐为次亚磷酸、次亚磷酸钠、次亚磷酸钾或次亚磷酸铵中的至少一种，所述磷酸类及其铵盐为磷酸、磷酸氢铵或磷酸二氢铵中的至少一种；优选的，所述次亚磷酸类及其盐为次亚磷酸铵，所述磷酸类及其铵盐为磷酸二氢铵。
6.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤C中，所述次亚磷酸类及其盐和磷酸类及其铵盐的总浓度为0.5～0.6wt％，所述次亚磷酸类及其盐和磷酸类及
7.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤C中，所述烯烃多碳羧酸及其铵盐为马来酸、富马酸或马来酸氢铵中的至少一种；优选的，所述烯烃多碳羧酸及其铵盐为马来酸。
8.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤C中，所述超声处理的温度为55～65℃，频率为50kHz，超声时间为5～8分钟。
9.根据权利要求1～8任一项所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤C中，清洗后还包括烘干操作，所述烘干的温度为60～200℃，时间为1～10分钟。
...【技术特征摘要】
1.提高比容、降低升压时间和漏电流的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤a中，所述超声处理的温度为50～55℃，频率为50khz，时间为4～5min。
3.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤a中，所述腐蚀箔为经过腐蚀的纯度为99.99wt％的铝箔。
4.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤b中，所述水煮的温度为85～100℃，时间为3～20分钟。
5.根据权利要求1所述的中高压电极箔预处理方法，其特征在于：步骤c中，所述次亚磷酸类及其盐为次亚磷酸、次亚磷酸钠、次亚磷酸钾或次亚磷酸铵中的至少一种，所述磷酸类及其铵盐为磷酸、磷酸氢铵或磷酸二氢铵中的至少一种；优选的，所述次亚磷酸类及其盐为次亚...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾东辉，杨守剑，谭德州，
申请(专利权)人：四川石棉华瑞电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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