【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造,尤其涉及一种新型半导体器件铜片键合设备及其装配方法。
技术介绍
1、功率半导体器件是现代变电装置核心部件。当前,国产功率半导体器件电压电流等级、可靠性偏低,像轨道交通、新能源汽车等高端产业所需超高压、大电流、高可靠性的大功率半导体器件,完全被国外产品垄断,对产业发展安全产生极大隐患。
2、掌握先进的设计技术、制程工艺与装备是国外半导体企业保持领先关键。先进铜片键合方法是大功率半导体器件封装核心技术。国产功率半导体器件依然普遍采用引线键合,器件承载功率与可靠性提升受到限制。
3、研发功率半导体器件高精度铜片键合装备,突破关键技术并形成产品应用,有助于掌握功率半导体器件先进封测技术,提升国产功率半导体器件性能,具备较大市场应用潜力与社会效益。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术创造旨在提供一种新型半导体器件铜片键合设备及其装配方法,通过料盘上料及涂胶装置、跳线贴装及下料装置配置以及第二框架贴装装置完成倒装芯片的装配。
2、为达到
...【技术保护点】
1.一种新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述料盘上料及涂胶装置(2)包括:
3.根据权利要求2所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述框架上料机构包括:
4.根据权利要求2所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述刷胶机构(23)包括:安装架(231)、刷胶升降组件(232)、刷胶平移组件(233)、刮刀组件(234)和刷胶板(235);所述安装架(231)固定在安装平台(1)上,所述刷胶升降组件(232)设置在所述安装架(231)上,所述刷
...【技术特征摘要】
1.一种新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述料盘上料及涂胶装置(2)包括:
3.根据权利要求2所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述框架上料机构包括:
4.根据权利要求2所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述刷胶机构(23)包括:安装架(231)、刷胶升降组件(232)、刷胶平移组件(233)、刮刀组件(234)和刷胶板(235);所述安装架(231)固定在安装平台(1)上,所述刷胶升降组件(232)设置在所述安装架(231)上,所述刷胶平移组件(233)和所述刷胶板(235)均通过刷胶安装板与所述刷胶升降组件(232)相连,以实现竖直方向上的移动;所述刮刀组件(234)与所述刷胶平移组件(233)相连,所述刮刀组件(234)的刮刀位于所述刷胶板(235)的胶槽内;在所述胶槽的底部,按预设位置设有刷胶孔,所述刮刀组件(234)通过所述刷胶孔将胶刷到所述铜框架(81)的两个引脚、所述第一芯片(82)的源极和所述第二芯片(83)的预设位置上。
5.根据权利要求4所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述点胶机构(25)背离所述刷胶板(235)设置在所述安装架(231)上;所述点胶机构(25)被构造成识别并定位所述第一芯片(82)的栅极,并测量所述点胶机构(25)距所述栅极的垂直距离,并对所述栅极进行点胶。
6.根据权利要求2所述新型半导体器件铜片键合设备,其特征在于,所述移料机构(24)包括平移组件(241)、升降组件(242)和抓取组件(243);所述抓取组件(243)设置在所述升降组件(242)上,所述平移组件(241)驱动所述升降组件(242)平移进而带动所...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭同健,姜鹏,原敏乔,余毅,张雪鹏,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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