【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种图形修正方法、存储介质和存储终端。
技术介绍
1、在光刻工艺中，掩模上的图形通过曝光系统缩小投影在光刻胶上。当光刻掩模透光区域图形的尺寸非常小时，透过掩模的光线的大部分能量将集中于高频区域。但是曝光系统衍射受限形成的低通滤波效应滤除了很多高频分量，导致光刻胶上所得到的图形变得模糊。
2、光学邻近效应修正是一种通过调整光刻掩模上透光区域图形的拓扑结构，或者在掩模上添加细小的亚分辨辅助图形，使得在光刻胶中的成像结果尽量接近掩模图形的技术，通过改变掩模透射光的振幅，进而对光刻系统成像质量的下降进行补偿的技术。
3、然而，现有的光学邻近效应修正的过程还有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种图形修正方法、存储介质和存储终端，以对光学邻近效应修正的过程进行改善。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括若干第一初始待修正图形和若干第二初始待修正...
【技术保护点】
1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一初始待修正图形的去除区域的形状包括第一三角形，所述第一顶点为所述第一三角形的顶点。
3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一三角形包括直角三角形。
4.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二初始待修正图形的去除区域的形状包括第二三角形，所述第二顶点为所述第二三角形的顶点。
5.如权利要求4所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二三角形包括直角三角形。
6.如权利要求1所述的图形修正方...
【技术特征摘要】
1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一初始待修正图形的去除区域的形状包括第一三角形，所述第一顶点为所述第一三角形的顶点。
3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一三角形包括直角三角形。
4.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二初始待修正图形的去除区域的形状包括第二三角形，所述第二顶点为所述第二三角形的顶点。
5.如权利要求4所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二三角形包括直角三角形。
6.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一初始待修正图形线端包括在所述第一初始待修正图形宽度方向的相对的第一侧和第二侧，所述第二初始待修正图形线端包括在所述第二初始待修正图形宽度方向的相对的第三侧和第四侧，所述第一初始待修正图形的数量至少包括1个，所述第二初始待修正图形的数量至少包括1个。
7.如权利要求6所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二初始待修正图形的数量为1个，所述第一初始待修正图形的数量为1个，所述第一初始待修正图形的第一侧与所述第二初始待修正图形第三侧相邻；去除与所述第一初始待修正图形线端相邻的部分第二初始待修正图形，包括：去除所述第二初始待修正图形第三侧的部分区域；去除与所述第二初始待修正图形线端相邻的部分第一初始待修正图形，包括：去除所述第一初始待修正图形的第一侧的部分区域。
8.如权利要求6所述的图形修正方法，其特征在于，所述第二初始待修正图形的数量为多个，所述第一初始待修正图形的数量为多个，所述第一初始待修正图形的第一侧和第二侧分别与一个所述第二初始待修正图形的第三侧相邻，所述第二初始待修正图形的第三侧和第四侧分别与一个所述第一初始待修正图形的第一侧相邻；去除与所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐瑞，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。