【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一方式涉及图案检查方法以及图案检查装置。例如,涉及检查在半导体制造中使用的曝光用掩模的图案缺陷的装置以及该装置的自动聚焦(autofocus)控制。
技术介绍
1、近年来,伴随大规模集成电路(lsi)的高集成化以及大容量化,半导体元件所要求的电路线宽越来越窄。这些半导体元件使用形成有电路图案的原画图案(也称作掩模或者中间掩模,以下,通称作掩模),利用被称作所谓的步进曝光装置的缩小投影曝光装置将图案曝光转印于晶片上从而形成电路,由此进行制造。
2、而且,对于制造成本高昂的lsi的制造,成品率的提高必不可少。作为使成品率降低的主要因素之一,可列举使用光刻技术在半导体晶片上对超细微图案进行曝光,在转印时所使用的掩模的图案缺陷。近年来,伴随形成于半导体晶片上的lsi图案尺寸的细微化,必须作为图案缺陷检测出的尺寸也变得极其小。因此,检查lsi制造所使用的转印用掩模的缺陷的图案检查装置需要高精度化。
3、作为检查方法,例如有比较对同一掩模上的不同位置的同一图案进行摄像而得的光学图像数据彼此的“die to die
...【技术保护点】
1.一种图案检查方法,其中,
2.如权利要求1所述的图案检查方法,其中,
3.如权利要求2所述的图案检查方法,其中,
4.如权利要求2所述的图案检查方法,其中,
5.一种图案检查装置,具备:
6.如权利要求5所述的图案检查装置,其中,
7.如权利要求6所述的图案检查装置,其中,
8.如权利要求7所述的图案检查装置,其中,
9.如权利要求5所述的图案检查装置,其中,
10.如权利要求9所述的图案检查装置,其中,
【技术特征摘要】
1.一种图案检查方法,其中,
2.如权利要求1所述的图案检查方法,其中,
3.如权利要求2所述的图案检查方法,其中,
4.如权利要求2所述的图案检查方法,其中,
5.一种图案检查装置,具备:
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:武田雅矢,
申请(专利权)人:纽富来科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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