一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；栅极沟槽，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面；沟槽栅结构，位于栅极沟槽中；第一电极，位于衬底远离半导体外延层的一侧；第二电极，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面，且位于沟槽栅结构至少一侧；第三电极，内设于半导体外延层中，且位于沟槽栅结构的底部；其中，半导体外延层中包括与沟槽栅结构接触的第一体区和第二体区；第一体区用于形成导通第一电极与第二电极的第一通道；第二体区用于形成导通第一电极与第三电极的第二通道。本发明专利技术实施例提供的技术方案，降低了导通电阻的同时，提高了器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆。

技术介绍

1、作为第三代半导体材料的代表，碳化硅(sic)具有优良的物理和电学特性。相比硅材料，sic材料禁带宽度大，具有热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用sic材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，还适用于高电压、高频率场景。

2、但是sic半导体器件仍具有导通电阻偏大的问题。目前通常采用多通道的方式或者设置沟槽栅的方式来降低功率器件的导通电阻。图1是现有技术中提供的一种半导体器件的结构示意图，参考图1，包括半导体外延层和位于半导体外延层相对两侧的源极电极s和漏极电极d，半导体外延层中包括漂移区(n-drift)、位于栅极g底部的n+区和p-base区以及位于栅极g侧面的n+区和p-base区，图1所示的半导体器为包括多个通道(横向通道和纵向通道)的非沟槽型半导体器件，但是对于非沟槽式多通道导通结构，由于元胞单元面积较大，因此对提高电流密度(降低导通电阻)的效果不佳；沟槽型半导体器件具有元胞尺寸小、电流密度大等优点；但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极的宽度小于所述栅极沟槽的宽度；

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极的宽度等于所述栅极沟槽的宽度；

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括介质隔离层；

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

9.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极的宽度小于所述栅极沟槽的宽度；

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极的宽度等于所述栅极沟槽的宽度；

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括介质隔离层；

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成半导体外延层之后，还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极沟槽的底部形成第三电极，包括：

11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭安贤，史田超，邓辉，
申请(专利权)人：长飞先进半导体武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：