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本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；栅极沟槽，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面；沟槽栅结构，位于栅极沟槽中；第一电极，位于衬底远离半导体外延层的一侧；第二电极...
该专利属于长飞先进半导体（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞先进半导体（武汉）有限公司授权不得商用。

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