ESD保护电路、芯片结构及ESD保护方法技术

本发明专利技术提供了一种ESD保护电路、芯片结构及ESD保护方法，该保护电路包括：第一ESD器件，其第二端接待保护器件的待保护引脚；第二ESD器件，其第一端接第一ESD器件的第一端，其第二端接待保护器件的地；第三ESD器件，其第一端接待保护器件的待保护引脚，其第二端接待保护器件的地；其中，第一ESD器件、第二ESD器件以及第三ESD器件的第一端到第二端的方向为反向击穿方向。本发明专利技术的技术方案，ESD保护通过第一ESD器件和第三ESD器件的正向导通特性和第二ESD器件实现，对于第一ESD器件、第三ESD器件的反向击穿电压无精准要求，实现容易、成本低，ESD设计简单，实现了待保护引脚与供电引脚之间的解耦。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及esd保护，尤其涉及一种esd保护电路、芯片结构及esd保护方法。

技术介绍

1、在当今的电子、电器设备中，芯片扮演着越来越重要的角色。esd(静电放电)对电子产品可能造成突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，器件被严重损坏，功能丧失。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。这两种损伤中，潜在性失效占据了90％，突发性失效只占10％。也就是说90％的静电损伤是没办法检测到，只有到了用户手里使用时才会发现。静电放电被认为是电子产品质量最大的潜在杀手，因此芯片的静电防护设计也成为芯片设计中的一项重要内容。

2、芯片esd保护是让芯片在遭受esd事件时，通过esd保护器件将esd事件的静电释放掉，从而使芯片内部的被保护器件免受esd事情造成伤害。这就要求esd器件的必须提供一个低阻的esd电流释放路径，且esd器件的击穿电压必须低于被保护器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一ESD器件、所述第三ESD器件的数量分别为多个；

4.根据权利要求1或2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一ESD器件，和/或，所述第三ESD器件包括：二级管。

5.根据权利要求1或2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一ESD器件，和/或，所述第二ESD器件，和/或，所述第三ESD器件包括：

6.根据权利要求1或2所述的ESD保护电路，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种esd保护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的esd保护电路，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1或2所述的esd保护电路，其特征在于，所述第一esd器件、所述第三esd器件的数量分别为多个；

4.根据权利要求1或2所述的esd保护电路，其特征在于，所述第一esd器件，和/或，所述第三esd器件包括：二级管。

5.根据权利要求1或2所述的esd保护电路，其特征在于，所述第一esd器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：杭中健，刘恒生，
申请(专利权)人：格威半导体厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：