【技术实现步骤摘要】
本申请涉及气相成膜技术的领域，尤其是涉及一种外延工艺用流道盖板。
技术介绍
1、外延是一种晶体生长技术，也称为外延生长或外延淀积。它是一种在半导体或光学材料商制备单晶薄膜的过程，指在通过在衬底晶体上按照其晶格生长单晶薄膜来实现。
2、采用外延工艺时，一般使用气相成膜装置，利用气相外延法制备晶体薄膜。气相成膜装置通常包括对象结构，对象结构一般设置有流道，流道的上方设置有盖板，以使得大部分气体在流道中流动，进而将成膜区域限于该流道中。
3、但外延工艺需要高温高压，在气体流速相同的情况下，若盖板与流道之间形成间隙较小，则高压气流可能对盖板造成一定的破坏；若盖板与流道之间形成的间隙较大，则气体中的一部分成膜，另一部分从流道中流出，一方面这些未成膜的气体需要再次流经流道成膜，另一方面需要更长时间地向流道中通入气体，以确保形成合格的单晶薄膜，导致成膜效率较低。
4、因此，需要一种流道盖板，在确保盖板本身不至于承受过大压力的同时，兼顾单晶薄膜的成膜效率
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：包括成膜板（1）和加强板（2），所述加强板（2）平行于所述成膜板（1）设置，且所述加强板（2）位于所述成膜板（1）的上方，所述成膜板（1）的左右两侧均连接有支撑侧板（3）；所述支撑侧板（3）的一侧用于与对象结构抵接，另一侧与所述加强板（2）连接。
2.根据权利要求1所述的一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：所述成膜板（1）包括第一平直段（11）和第一弯曲段（12），所述第一弯曲段（12）连接于所述第一平直段（11）的端部。
3.根据权利要求2所述的一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：所述第一弯曲段（12）...
【技术特征摘要】
1.一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：包括成膜板（1）和加强板（2），所述加强板（2）平行于所述成膜板（1）设置，且所述加强板（2）位于所述成膜板（1）的上方，所述成膜板（1）的左右两侧均连接有支撑侧板（3）；所述支撑侧板（3）的一侧用于与对象结构抵接，另一侧与所述加强板（2）连接。
2.根据权利要求1所述的一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：所述成膜板（1）包括第一平直段（11）和第一弯曲段（12），所述第一弯曲段（12）连接于所述第一平直段（11）的端部。
3.根据权利要求2所述的一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：所述第一弯曲段（12）与流道的槽底之间的距离从靠近所述第一平直段（11）的一端到另一端逐先增加后不变。
4.根据权利要求3所述的一种外延工艺用流道盖板，其特征在于：所述第一弯曲段（12）远离所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠恕，边占宁，刘利，陈强，张连兴，冯继瑶，于洋，周洁，王志刚，赵晓亮，李翔星，卢亮，
申请(专利权)人：北京凯德石英股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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