一种工艺管制造技术

本申请涉及半导体加工技术领域，提供了一种工艺管，包括内管、外管和螺旋件，内管的一端密封设置并设有两侧贯通的流道孔；外管固定设置于内管外周侧，外管靠近流道孔的一端密封设置，外管的另一端通过密封结构与内管相连接；内管和外管之间形成有气体流道，螺旋件设置于气体流道内部，且螺旋件沿内管的轴线方向螺旋延伸设置；内管外侧壁分别固定有进气法兰和排气法兰，进气法兰与气体流道相连通，排气法兰与内管内部相连通。基于此，可以提高各种气体混合之后的均匀性，以利于形成厚度均匀的镀层或薄膜，进而提高所制得半导体芯片的质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体加工，尤其涉及一种工艺管。

技术介绍

1、目前生产中常见的薄膜制备方法包括物理气相沉积（physical vapordeposition，简称pvd），化学气相沉积（chemical vapor deposition，简称cvd）和等离子体气相沉积（plasma chemical vapor deposition，简称pcvd）；其中，化学气相沉积（cvd）是反应物质在气氛条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，从而制得固体材料的工艺技术。cvd是目前应用最为广泛的制备方法，能够应用于半导体芯片的氧化层、绝缘层或导电层的制备，以及芯片表面的薄膜成型工艺中。

2、现阶段的cvd工艺通常在工艺管中进行，工艺管包括内管和外管，内管和外管均为一端开口结构；外管套设于内管外周侧并与内管保持同轴，内管的开口侧与外管的开口侧处于同一侧，并通过密封组件封挡，使得外管与内管之间能够形成封闭的气体流道；气体流道与内管内部相连通，而待加工的半导体芯片放置于内管内部。进行化学气相沉积时，带有化学物质的反应气体经由气体流道进入内管内部，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种工艺管，其特征在于：包括内管（1）、外管（2）和螺旋件（3），所述内管（1）的一端密封设置并设有两侧贯通的流道孔（11）；所述外管（2）固定设置于内管（1）外周侧，所述外管（2）靠近流道孔（11）的一端密封设置，所述外管（2）的另一端通过密封结构与内管（1）相连接；

2.根据权利要求1所述的工艺管，其特征在于：所述螺旋件（3）局部绕卷有多个卷簧钢带（9），所有卷簧钢带（9）沿螺旋件（3）的螺旋延伸方向间隔布设；所述卷簧钢带（9）的一端连接于螺旋件（3），另一端呈自由设置，当所述螺旋件（3）安装于气体流道（5）之后，所述卷簧钢带（9）自然张弛、抵贴于外管（2）内周壁及内...

【技术特征摘要】

1.一种工艺管，其特征在于：包括内管（1）、外管（2）和螺旋件（3），所述内管（1）的一端密封设置并设有两侧贯通的流道孔（11）；所述外管（2）固定设置于内管（1）外周侧，所述外管（2）靠近流道孔（11）的一端密封设置，所述外管（2）的另一端通过密封结构与内管（1）相连接；

2.根据权利要求1所述的工艺管，其特征在于：所述螺旋件（3）局部绕卷有多个卷簧钢带（9），所有卷簧钢带（9）沿螺旋件（3）的螺旋延伸方向间隔布设；所述卷簧钢带（9）的一端连接于螺旋件（3），另一端呈自由设置，当所述螺旋件（3）安装于气体流道（5）之后，所述卷簧钢带（9）自然张弛、抵贴于外管（2）内周壁及内管（1）外周壁。

3.根据权利要求2所述的工艺管，其特征在于：所述螺旋件（3）包括多个螺旋短管（31），各个所述螺旋短管（31）沿内管（1）的轴线方向依次排列；各个所述卷簧钢带（9）分别对应安装于各个螺旋短管（31）的端部，且相邻所述卷簧钢带（9）之间通过连接构件（91）可拆卸连接。

4.根据权利要求3所述的工艺管，其特征在于：所述螺旋短管（31）靠近相邻螺旋短管（31）的一端设有延伸部（32），所述延伸部（32）的外径小于螺旋短管（31）的外径；所述延伸部（32）远离螺旋短管（31）的一端设有限位部（33），所述限位部（33）的外径大于延伸部（32）的外径；

5.根据权利要求1所述的工艺管，其特征在于：所述螺旋件（3）焊接固定于内管（1）的外周壁，且所述螺旋件（3）外边缘与外管（2）内周壁之间存有间隙。

6.根据权利要求1所述的工艺管，其特征在于：所述密封结构包括设置于内管（...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠恕，张娟，赵鹤，杨波，齐芷彬，高闯，
申请(专利权)人：北京凯德石英股份有限公司，
类型：发明
国别省市：