半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，在具备二极管区域和IGBT区域的半导体装置中，防止芯片的温度局部性变高。半导体装置具备RC－IGBT的芯片，该RC－IGBT的芯片具备作为IGBT发挥功能的IGBT区域(10)和作为二极管发挥功能的多个二极管区域(20)。在组合IGBT区域(10)和二极管区域(20)而成的区域亦即有效区域内多个二极管区域(20)被配置成岛状。若将一个二极管区域(20)的一边的长度设为WD，将相邻的二极管区域(20)的间隔设为WI，将有效区域的一边的长度设为WC，并且将芯片的厚度设为t，则满足如下关系：2t＜WD＜5t、2t＜WI＜5t、WD+WI＜WC/6。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置，特别涉及具备二极管区域和igbt区域的半导体装置。

技术介绍

1、公知有igbt和二极管形成于一个半导体基板的构造的半导体装置亦即反向导通igbt(reverse conducting insulated gate bipolar transistor)(以下称为“rc－igbt”)(例如下述的专利文献1)。rc－igbt与igbt和二极管为分体时相比，能够缩小有效面积而提高电流密度，还具有散热性良好的优点。

2、专利文献1：日本专利第5103830号公报

3、rc－igbt存在芯片最表面的温度(tj)局部性地变高的问题。认为这是由于二极管区域与igbt区域之间的热交换不充分造成的。

技术实现思路

1、本公开是为了解决以上那样的课题所做出的，其目的在于，提供一种在具备二极管区域和igbt区域的半导体装置中，防止芯片的温度局部性变高。

2、本公开所涉及的半导体装置具备rc－igbt(reverse conducting igbt)的芯片，该rc－igbt本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：阪口浩介，曾根田真也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：