【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体器件，且更特别地涉及制作具有精细间距互连的双侧模塑系统级封装的半导体器件和方法。
技术介绍
1、半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件执行范围广泛的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、功率转换、光电、以及创建用于电视显示的视觉图像。半导体器件见于通信、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公室装备中。
2、半导体器件可以包含在衬底上设置以执行必要电气功能的多个电气部件，例如半导体管芯和分立部件。这种封装通常被称作系统级封装(sip)模块或双侧模塑系统级封装(dsmsip)。衬底可以具有多个层互连结构，以适应常常复杂的功能性。用于保护导电桩的层压可能导致翘曲，从而导致后续制造工艺(例如，利用顶表面安装技术)中的缺陷。
3、另外，存在针对高密度封装(即，小于300μm凸块间距)的增长的需求。不幸的是，高密度和精细间距增加了凸块短路的可能性。存在针对下述高密度低间距电互连的需要：该电互连具有高信号传输速度，但没...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：石墨烯涂层，被形成在所述导电柱上方。
3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：导电层，被形成在所述导电柱上方。
4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第二密封剂，被沉积在所述衬底的第二表面上方。
5.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：屏蔽层，被形成在所述第二密封剂上方。
6.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：第二电气部件，被设置在所述衬底的第二表面上方所述第二密封剂内。
7.一种半导体器件，包括
8....
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：石墨烯涂层，被形成在所述导电柱上方。
3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：导电层，被形成在所述导电柱上方。
4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第二密封剂，被沉积在所述衬底的第二表面上方。
5.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：屏蔽层，被形成在所述第二密封剂上方。
6.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：第二电气部件，被设置在所述衬底的第二表面上方所述第二密封剂内。
7.一种半导体器件，包括：
8.如权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：石...
【专利技术属性】
技术研发人员：申容武，金晟国，金信在，许锡范，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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