温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体装置，在具备二极管区域和IGBT区域的半导体装置中，防止芯片的温度局部性变高。半导体装置具备RC－IGBT的芯片，该RC－IGBT的芯片具备作为IGBT发挥功能的IGBT区域(10)和作为二极管发挥功能的多个二极管区域(20...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。