【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆刻蚀，尤其是一种多重磁场刻蚀装置。
技术介绍
1、等离子体刻蚀是晶圆表面处理的一种方式。射频电感耦合气体放电是产生等离子体的重要途径之一。在电感耦合系统中，线圈通电产生的电磁场能量聚集在真空室内、激发气体放电、从而形成等离子体；使得带正电的离子轰击晶圆表面，即可去除晶圆表面的天然氧化物、或者碳氟化合物残留物等，最终在晶圆表面刻出所需形状。
2、碳化硅(sic)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。而但受到材料特性的影响，碳化硅的刻蚀难度大，通常需要加大电源功率以增加粒子活性。但纯粹地加大电源功率会使得射频线圈的热量难以控制，还需要额外补充冷却结构降低刻蚀温度，三冷却机构的增设又容易影响刻蚀环境。
技术实现思路
1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种多重磁场刻蚀装置。
...【技术保护点】
1.一种多重磁场刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，所述第一磁组（320）和所述第二磁组（330）中的永磁铁均设置为一个磁极面向所述工作腔（100）、另一个磁极背向所述工作腔（100）；
3.根据权利要求1所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，还包括旋转驱动机构（500），所述旋转驱动机构（500）用于驱使所述第一磁组（320）和所述第二磁组（330）绕所述工作腔（100）的纵向中心轴自转。
4.根据权利要求3所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，还包括安装罩（410），所述安装罩（410...
【技术特征摘要】
1.一种多重磁场刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，所述第一磁组（320）和所述第二磁组（330）中的永磁铁均设置为一个磁极面向所述工作腔（100）、另一个磁极背向所述工作腔（100）；
3.根据权利要求1所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，还包括旋转驱动机构（500），所述旋转驱动机构（500）用于驱使所述第一磁组（320）和所述第二磁组（330）绕所述工作腔（100）的纵向中心轴自转。
4.根据权利要求3所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，还包括安装罩（410），所述安装罩（410）套设于所述工作腔（100）外、用于安装所述第一磁组（320）和所述第二磁组（330）；
5.根据权利要求4所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，所述工作腔（100）包括：
6.根据权利要求5所述的多重磁场刻蚀装置，其特征在于，所述安装罩（410）受限于所述底座（110）和所述上罩（130）之间；所述底座（110）的顶面和所述安装罩（410）的底面...
【专利技术属性】
技术研发人员：田文康，韩超然，范雄，王兆丰，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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