【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于线性稳压器电路，尤其涉及一种含有过冲抑制的低静态电流ldo。
技术介绍
1、ldo负载电流的突然减少会导致ldo输出电压出现一段时间的过冲，通常希望过冲电压尽可能小和过冲持续时间尽可能短(过冲尽可能快的恢复)。过冲的持续时间与ldo输出端电容上的放电电流大小有直接关系，放电电流越小过冲持续时间越长。为维持极低的静态电流，低静态电流ldo的分压反馈网络的静态电流极小(几十或几百na)，这将导致ldo从重负载电流切换到近零负载电流时过冲持续很长的时间。
2、目前，一些工程师和学者针对这种情况提出了过冲抑制电路，这种电路可以检测过冲的发生，并临时提供为ldo输出端电容放电的电流，从而在不增加静态功耗的同时减小过冲持续时间。但是，这些电路需要将一个电容连接到功率mos管(功率管mp)的栅极以检测过冲，这会减慢ldo的响应速度并给psr等关键性能参数造成负面影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种含有过冲抑制的低静态电流ldo，特别是其中的过冲抑制电路，解决了低静态电流ldo当负载电流从重载跳变到近零负载电流时的ldo过冲电压恢复太慢的问题。采用的技术方案如下：
2、一种含有过冲抑制的低静态电流ldo，包括：第一部分、第二部分、第三部分和抑制网络，其一端均连接电源电压vdd，另一端均接地；
3、所述第一部分，用于为功率管mp提供g极电压偏置，其包括误差放大器ea；所述第二部分包括：串联的mos管m5和mos管m4；所述第三部分包
4、所述误差放大器ea，其反相输入端接参考电压vref，同相输入端接由分压反馈网络输出的反馈电压信号vfb，其输出端连接mos管m5的g极、功率管mp的g极；
5、所述mos管m5的s极、功率管mp的s极均连接电源电压vdd；
6、所述mos管m5的d极连接mos管m4的d极，同时m4的d极与m4的g极相连，mos管m4的g极引出偏置电压信号vm至误差放大器ea的动态尾电流源和抑制网络；mos管m4的s极接地；
7、所述分压反馈网络，其一端连接功率管mp的d极，其另一端接地，其引出反馈电压信号vfb至误差放大器ea的同相输入端；
8、输出电压信号vout自功率管mp的d极引出至负载电阻rl的第一端、输出电容cl的第一端和mos管m10的d极，负载电阻rl的第二端、输出电容cl的第二端和mos管m10的s极均接地；所述mos管m10为nmos管；
9、所述抑制网络包括：第二电流源iref2、mos管m11、耦合电容c1和mos管m9、所述mos管m10；
10、所述第二电流源iref2的一端接mos管m11的d极，mos管m11的g极接收偏置电压信号vm，mos管m11的s极接地，第二电流源iref2的另一端接电源电压vdd；
11、电压信号vn自第二电流源iref2的和mos管m11的连接点n处引出至耦合电容c1的上极板，耦合电容c1的下极板连接mos管m10的g极、mos管m9的d极；mos管m9的s极接地，mos管m9的g极连接其d极。
12、优选地，所述mos管m5的宽长比是功率管mp的1/k，k＝40。
13、优选地，所述第二电流源iref2的限制为100na。
14、优选地，所述第一部分还包括：第一电流源iref1、mos管m1和mos管m2；
15、所述mos管m2为误差放大器ea的静态尾电流源；
16、所述误差放大器ea的动态尾电流源为mos管m3；
17、所述mos管m3的s极、mos管m2的s极均接地，所述mos管m3的d极接mos管m2的d极；mos管m3的g极接mos管m4的g极，以接收偏置电压信号vm；
18、所述误差放大器ea的一端接mos管m3的d极，另一端接电源电压vdd；
19、所述mos管m1的g极连接其d极，其s极接地，mos管m1的g极连接mos管m2的g极；mos管m1的d极接第一电流源iref1；所述第一电流源iref1连接电源电压vdd。
20、优选地，第一电流源iref1的限制为100na。
21、优选地，所述分压反馈网络包括：mos管m6、mos管m7及mos管m8；
22、所述mos管m6的g极连接其d极，所述mos管m7的g极连接其d极，所述mos管m8的g极连接其d极；
23、所述mos管m6的d极连接功率管mp的d极，所述mos管m7的d极连接mos管m6的s极，所述mos管m8的d极连接在mos管m7的s极，所述m8的s极接地；
24、反馈电压信号vfb引出自mos管m7的d极并连接至误差放大器ea的同相输入端。
25、优选地，当较大的负载电流突然减小到极低负载电流并引发过冲时，电压信号vn从地电位上升至电源电压vdd，vn的变化通过电容c1耦合至mos管m10的g极，后mos管m10开启并放电。
26、优选地，所述mos管m10开启设定时间后自动关闭。
27、与现有技术相比，本专利技术的优点为：现有的用于低静态电流ldo的过冲抑制电路会将耦合用电容c1的上极板直接接在功率mos管的栅极，而本专利技术提出的过冲抑制电路是将耦合用电容c1的上极板接在了新创建的电压节点。
28、因此，利用了低静态电流ldo本身的动态电流偏置结构，从而避免了将检测过冲的电容连接到ldo功率mos管的栅极，从而避免了其对ldo速度、psr等的负面影响。具体的：
29、1、当过冲发生时，vn会从地电位变化到vdd，而现有技术中功率mos管(功率管mp)的栅极是从中间电位跳变到接近vdd。
30、相较于现有技术中把耦合电容c1接在功率mos管的栅极，本专利技术将耦合电容c1接在由本专利技术所提出电路中的vn节点，c1的上极板电压会有一个更剧烈的变化，这可以让放电mos管(mos管m10)更好的导通。
31、相对于现有技术，在采用同样的耦合电容c1和同样的二极管连接型mos——m9和放电mos管m10的情况下，本专利技术所提出的技术可以获得更大的放电电流，从而更好的加快过冲的恢复。
32、2、相比于现有技术，本专利技术提出的技术避免了过冲抑制电路对ldo本身性能参数的负面影响。
33、现有技术中，将电容c1接在功率mos管(功率管mp)的栅极，所以在误差放大器ea在调整功率mos管栅极电压时所需要驱动的电容变大，这将导致ldo的psr变差等问题。
34、而本专利技术避免了这一情况，经过仿真验证，添加本专利技术的过冲抑制电路对ldo原有性能参数没有负面影响。
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1.一种含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，包括：第一部分、第二部分、第三部分和抑制网络，其一端均连接电源电压VDD，另一端均接地；
2.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，所述MOS管M5的宽长比是功率管MP的1/K，K＝40。
3.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，所述第二电流源IREF2的限制为100nA。
4.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，所述第一部分还包括：第一电流源IREF1、MOS管M1和MOS管M2；
5.根据权利要求4所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，第一电流源IREF1的限制为100nA。
6.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，所述分压反馈网络包括：MOS管M6、MOS管M7及MOS管M8；
7.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，过冲时，电压信号VN从地电位上升至电源电压VDD，VN的变化通过电容C1耦合至MOS管M
8.根据权利要求1～7之任一项所述的含有过冲抑制的低静态电流LDO，其特征在于，所述MOS管M10开启设定时间后自动关闭。
...【技术特征摘要】
1.一种含有过冲抑制的低静态电流ldo，其特征在于，包括：第一部分、第二部分、第三部分和抑制网络，其一端均连接电源电压vdd，另一端均接地；
2.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流ldo，其特征在于，所述mos管m5的宽长比是功率管mp的1/k，k＝40。
3.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流ldo，其特征在于，所述第二电流源iref2的限制为100na。
4.根据权利要求1所述的含有过冲抑制的低静态电流ldo，其特征在于，所述第一部分还包括：第一电流源iref1、mos管m1和mos管m2；
5.根据权利要求...
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