【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电容器，具体涉及一种硅基电容结构。
技术介绍
1、受终端市场驱动，集成电路的集成度不断提升，对各种模块和元器件提出小型化需求。电容器是集成电路中应用最广泛的无源器件，可应用于电路中的隔直通交、旁路、滤波、耦合、调谐回路、能量转换与存储等方面。集成电路中常用的电容器有：mos管电容、多晶硅-绝缘体-多晶硅电容、金属-绝缘体-金属电容等。电容器的小型化可以采用集成无源器件（intergrated passive device，ipd）技术实现，也可以通过增加电容器在单位面积上的电容容值来实现。深沟槽电容（deep trench capacitor，dtc）是一种将深沟槽蚀刻到硅衬底中而形成的三维垂直电容器，可提供超高的单位面积上的电容容值。增加电容密度的方法诸如增加沟槽深度、增加导电层和介电层的堆叠层数、降低介电层厚度、选用高介电常数介电材料等。
2、需要指出的是，传统深沟槽电容器的导电层都是采用图案化方法形成导电层台阶，并经由接触通孔导出。当导电层和介电层的堆叠层数增加时，所述方法一方面需要增加光罩以实现导电层台阶的...
【技术保护点】
1.一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容；其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。
2.根据权利要求1所述的一种硅基电容结构，其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层的顶部为凹凸结构，所述硅基电容结构的导电层、顶导电层的高度低于绝缘层、介电层的高度。
3.根据权利要求2所述的一种硅基电容结构，其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、介电层的顶部侧壁设置有侧墙，所述侧墙为低压化学气相沉积法形成的ON结构。
4.根据权利要求1所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容；其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。
2.根据权利要求1所述的一种硅基电容结构，其特征在于，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层的顶部为凹凸结构，所述硅基电容结构的导电层、顶导电层的高度低于绝缘层、介电层的高度。
3.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂祥龙，宋一诺，曹红霞，
申请(专利权)人：上海兆方半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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