温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术公开一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。所述硅基电容减少了光罩数量，降低了制造成本，同时提升了电容面积利用率，降低了接触通孔的蚀刻负载...
该专利属于上海兆方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海兆方半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。