一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明专利技术提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明专利技术在m晶面GaN外延片上直接外延常规的Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N/GaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着无线通讯市场的不断发展和军事国防领域的进步，对微波功率器件性能的要求也日益提高，这推动了微波功率器件的快速发展。第三代半导体材料，如氮化镓(gan)和碳化硅(sic)，在这一进程中发挥着重要作用，展现出卓越的大功率应用特性。氮化镓(gan)具有禁带宽度大、高电子饱和速率、耐高压、耐高温和热稳定性好等出色的物理特性。它被认为是应用于高压、高频、高温和抗辐射等领域的理想材料。在光电子、高温大功率器件以及射频微波器件应用等领域，氮化镓都有着广阔的前景。

2、氮化镓高电子迁移率场效应管(gan hemt)器件的跨导(gm)随栅极电压(vgs)变化曲线如附图1所示，随着vgs增加，gm会先上升后下降。跨导(gm)表示的是输出端电流变化与输入端电压变化之间的关系。功率放大器(pa)的非线性性质导致一系列问题，比如频谱泄露、输出功率过早饱和和信号失真，这些问题不仅影响系统性能，还增加了系统设计的难度。此外，在无线通讯领域的音视频文件传输过程中，pa的非线性问题会导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下依次包括如下结构：电极延伸部分、V型结构和基底结构；

2.根据权利要求1所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料均为m晶面GaN材料。

3.根据权利要求1所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述源极和相邻的栅极的一端的源栅空隙的长度为1-3um。

4.根据权利要求3所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述漏极和相邻的栅极的一端的漏栅空隙的长度为3-6um。

5.根据权利要求4所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述漏栅空...

【技术特征摘要】

1.一种线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下依次包括如下结构：电极延伸部分、v型结构和基底结构；

2.根据权利要求1所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料均为m晶面gan材料。

3.根据权利要求1所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述源极和相邻的栅极的一端的源栅空隙的长度为1-3um。

4.根据权利要求3所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述漏极和相邻的栅极的一端的漏栅空隙的长度为3-6um。

5.根据权利要求4所述线性度提高的氮化镓器件，其特征在于，所述漏栅空隙的长度大于所述源栅空隙的长度。

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【专利技术属性】
技术研发人员：于洪宇，王沛然，汪青，何佳琦，邓宸凯，樊涤非，陶赓名，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：