【技术实现步骤摘要】
本揭露的一些实施方式是关于半导体装置与其制造方法。
技术介绍
1、近年来因零碳排及电动车取代燃油车等环保课题，国际间已开始相关研究的发展，用碳化硅制作的功率半导体装置已经逐渐取代硅基为主的功率半导体装置，并往高电压大电流的高功率应用发展，其中利用平面式碳化硅垂直双离子植入金氧半场效应晶体管(vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，vdmosfet)已经在600v到3000v的相关应用扮演主要的功率晶体管角色。其中通道电阻在整个vdmosfet结构上仍是最主要的阻值贡献来源，为了降低晶体管的导通阻抗(ron)，缩短装置的通道长度并维持通道长度一致是有效降低ron的方法之一。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施方式提供一种形成半导体装置的方法，包含在基板上形成磊晶层，在磊晶层上形成硬遮罩层，硬遮罩层具有第一部分与第二部分，第一部分与第二部分之间具有间隙，执行氧化工艺，以在硬遮罩层的表面...
【技术保护点】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该阱包含通道区域，该阱的该通道区域相邻该源极区，且该氧化层的厚度与该阱的该通道区域的宽度相同。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在该介电层的该侧形成该栅极结构包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该牺牲介电层时，该牺牲介电层接触该硬遮罩层的该第二部分。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，形成该介电层时，该介电层接触该牺牲介电层。
6.一种半导体装置，其特征在于，包含：
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【技术特征摘要】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该阱包含通道区域，该阱的该通道区域相邻该源极区，且该氧化层的厚度与该阱的该通道区域的宽度相同。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在该介电层的该侧形成该栅极结构包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该牺牲介电层时，该牺牲介电层接触该硬遮罩层的该第二部分。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，形成该介电层时，该介电层接触该牺牲介电层。
【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉隆，萧逸楷，郭浩中，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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