温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成半导体装置的方法包含在基板上形成磊晶层，在磊晶层上形成硬遮罩层，硬遮罩层具有第一部分与第二部分，第一部分与第二部分之间具有间隙，执行氧化工艺，以在硬遮罩层的表面形成氧化层，经由硬遮罩层的间隙在磊晶层中形成源极区，移除硬遮罩层的第一部...
该专利属于鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。