【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，具体的，涉及一种芯片封装方法。
技术介绍
1、随着半导体芯片技术的发展，背照式(back side illumination，bsi)芯片在市场上的份额逐渐增加。bsi技术通过将感光层置于硅片背面，使光线能直接照射到像素上，从而提高感光度和图像质量。
2、在将bsi芯片与印刷电路板组装(printed circuit board assembly，pcba)进行连接时，需要先在芯片上进行植球，再在其表面刷银浆，从而使二者实现导通。但是，银浆的价格较高，造成了生产成本增加；其次，银浆的运用涉及到多个工艺步骤，包括钢网印刷、芯片对位贴合以及银浆的固化等，工艺流程较为复杂；最后，若银浆的使用量不当，容易造成器件短路，降低产品良率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供一种芯片封装方法，首先，在晶圆表面进行植球，并将晶圆切割成多个芯片，每个芯片上均具有相应的焊球；接着，将芯片放置于基板上方，使焊球对准基板上的焊盘，采用超声波焊接的方式连接芯片与基板，使二者导通；最后在芯片与基板之间填充底填胶，提高封装的可靠性。本专利技术采用超声波焊接的方式使芯片与基板连接，不仅大幅度降低了生产成本，而且简化了整个工艺流程，减少了生产过程中的复杂性和时间消耗，显著提高了生产效率；另外，超声波焊接有效避免了器件短路等问题，从而确保了产品在生产过程中的稳定性和可靠性，显著提高了产品的良率。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供
3、提供一芯片，所述芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有焊球；
4、提供一基板，所述基板表面具有多个焊盘；
5、使所述芯片的第一表面朝向所述基板，且所述焊球对准所述焊盘，采用超声波焊接的方式将所述芯片与所述基板连接。
6、可选的，提供一芯片包括如下步骤：
7、提供一晶圆，在所述晶圆表面进行植球；
8、将所述晶圆切割成多个芯片，每个所述芯片上具有相应的焊球。
9、可选的，翻转所述芯片，以使所述芯片的第一表面朝向所述基板。
10、可选的，翻转所述芯片包括如下步骤：
11、用第一吸盘吸附所述第一表面，以抓取所述芯片；
12、用第二吸盘吸附所述第二表面，并通过对调所述第一吸盘和所述第二吸盘的位置，对所述芯片进行翻转；
13、去除所述第一吸盘。
14、可选的，超声波焊接的振动频率为60khz～65khz，振幅为25μm～40μm，焊接功率为0.3w～0.5w，焊接时间为0.02s～0.05s。
15、可选的，超声波焊接在150℃～200℃的温度条件下进行。
16、可选的，在超声波焊接过程中，焊接压头对焊接面施压，压力为6n～10n。
17、可选的，所述焊接压头温度为250℃～300℃。
18、可选的，将所述芯片与所述基板连接之后还包括：在所述芯片与所述基板之间填充底填胶。
19、可选的，所述焊球为金球。
20、本专利技术提供的芯片封装方法，至少具有以下有益效果：
21、本专利技术利用超声波焊接技术，实现了芯片与基板之间的高效连接，与传统的连接方法相比，超声波焊接不仅大幅度降低了生产成本，而且简化了整个工艺流程，减少了生产过程中的复杂性和时间消耗，显著提高了生产效率；另外，超声波焊接有效避免了器件短路等问题，从而确保了产品在生产过程中的稳定性和可靠性，显著提高了产品的良率，使生产出的器件质量更加一致，减少了返工和废品率。
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1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，提供一芯片包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，翻转所述芯片，以使所述芯片的第一表面朝向所述基板。
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，翻转所述芯片包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，超声波焊接的振动频率为60KHz～65KHz，振幅为25μm～40μm，焊接功率为0.3W～0.5W，焊接时间为0.02s～0.05s。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，超声波焊接在150℃～200℃的温度条件下进行。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，在超声波焊接过程中，焊接压头对焊接面施压，压力为6N～10N。
8.根据权利要求7所述的芯片封装方法，其特征在于，所述焊接压头温度为250℃～300℃。
9.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，将所述芯片与所述基板连接之后还包括：在所述芯片与所
10.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述焊球为金球。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，提供一芯片包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，翻转所述芯片，以使所述芯片的第一表面朝向所述基板。
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，翻转所述芯片包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，超声波焊接的振动频率为60khz～65khz，振幅为25μm～40μm，焊接功率为0.3w～0.5w，焊接时间为0.02s～0.05s。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李宏鹏，陈春松，许欣，何巧义，
申请(专利权)人：奕瑞影像科技太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：
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