FinFET堆叠栅存储器制造技术

一种FinFET堆叠栅存储器，其包含基板、浅沟槽隔离结构及存储单元区。浅沟槽隔离结构设置于基板，且包含浅沟槽隔离氧化物，其中浅沟槽隔离氧化物设置于浅沟槽隔离结构内。存储单元区包含氮化层、浮栅结构、氧化物‑氮化物‑氧化物层及控制栅结构。氮化层设置于浅沟槽隔离结构的表面与基板的表面之下。浮栅结构设置于穿隧氧化物。浅沟槽隔离氧化物设置于氧化物‑氮化物‑氧化物层与氮化层之间。氧化物‑氮化物‑氧化物层位于浮栅结构与控制栅结构之间。因此，有助于提升FinFET堆叠栅存储器的电流稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及一种堆叠栅存储器与其形成方法，且特别是一种finfet堆叠栅存储器与其形成方法。

技术介绍

1、图8示出依照现有技术中堆叠存储器30的示意图。由图8可知，于1000摄氏度的一高温炉中，一氧化硅层(sio2)31生长于一p型硅晶圆32上，且氧化硅层31的一厚度大约为200埃。接着，通过掩模(mask)与植入物(implant)形成一深层n型井(deep n-well)、一n型井(n-well)及一p型井(p-well)。一氮化硅(si3n4)层33的沉积厚度约2000埃，一光印(photoprinting)主动区域(active area,aa)应用于晶体管，且依序蚀刻一氮化硅/氧化硅/硅堆叠结构。

2、然而，现有技术中，难以实现堆叠栅存储器30的通道长度缩放至120纳米以下的技术，因当尺寸缩放后将造成短通道效应(short channel effect)，进而增加尺寸缩放的困难性，其中短通道效应包含存储器击穿效应(memory cell punch-through)与一热载子注入(hot carrier injection)，且随本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，还包含：

3.如权利要求2所述的FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，该些周边装置包含一高电压N型通道逻辑装置、一高电压P型通道逻辑装置、一低电压N型通道逻辑装置及一低电压P型通道逻辑装置。

4.如权利要求1所述的FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，该浅沟槽隔离氧化物为一氧化硅材质，且该浅沟槽隔离氧化物的一厚度为600埃至2400埃。

5.如权利要求1所述的FinFET堆叠栅存储器，其特征在于，该穿隧氧化物为一氧化硅材质，且该...

【技术特征摘要】

1.一种finfet堆叠栅存储器，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的finfet堆叠栅存储器，其特征在于，还包含：

3.如权利要求2所述的finfet堆叠栅存储器，其特征在于，该些周边装置包含一高电压n型通道逻辑装置、一高电压p型通道逻辑装置、一低电压n型通道逻辑装置及一低电压p型通道逻辑装置。

4.如权利要求1所述的finfet堆叠栅存储器，其特征在于，该浅沟槽隔离氧化物为一氧化硅材质，且该浅沟槽隔离氧化物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴亚，
申请(专利权)人：美商矽成积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：