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一种FinFET堆叠栅存储器，其包含基板、浅沟槽隔离结构及存储单元区。浅沟槽隔离结构设置于基板，且包含浅沟槽隔离氧化物，其中浅沟槽隔离氧化物设置于浅沟槽隔离结构内。存储单元区包含氮化层、浮栅结构、氧化物‑氮化物‑氧化物层及控制栅结构。氮化层...
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