【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种内存装置，尤其是可在内存装置的关断期间，减少漏电流的驱动器电路。
技术介绍
1、传统的内存装置包括多个内存库，而每个内存库包括由多个内存单元排列而成的内存阵列，用于数据存储。在每个内存阵列旁边，排列有多个输入/输出驱动器，用于管理数据写入操作。输入/输出驱动器也称为gio驱动器，设置为可接收数据写入信号并将其转换为一对差分信号，以控制内存阵列的数据写入操作。这对差分信号通常表示为gio信号和giob信号。
2、在传统的内存装置中，设置有一个全局电源驱动器，为所有内存库中的gio驱动器供电。在各种模式期间，例如预充电或活动模式等，如果没有发生任何数据写入的操作请求，gio驱动器可切换至关断模式以节省功耗。关断模式也可理解为一种待机模式。在待机模式下，全局电源驱动器仍然对其他内存库保持活动状态，因此可能引发通过gio驱动器的漏电流。
3、多阈值互补金属氧化物半导体(multi-threshold complementary metal-oxidesemiconductor；mtcmos)已知是一种有...
【技术保护点】
1.一种内存装置，包括用于数据存储的多个内存库，其特征在于，每个内存库包括：
2.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，当所述第一P型MTCMOS被所述控制信号关断时，从所述供应电源流到所述第一多阈值电源信号的漏电流基本上为零。
4.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，每一所述行驱动器电路包括：
5.根据权利要求3所述的内存装置，其特征在于，所述全局驱动器电源电路包括第二P型MTCMOS，耦接所述供应电源和所述控制信号，受所述控制信号控制，产生并供应第二多阈值电源...
【技术特征摘要】
1.一种内存装置，包括用于数据存储的多个内存库，其特征在于，每个内存库包括：
2.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，当所述第一p型mtcmos被所述控制信号关断时，从所述供应电源流到所述第一多阈值电源信号的漏电流基本上为零。
4.根据权利要求1所述的内存装置，其特征在于，每一所述行驱动器电路包括：
5.根据权利要求3所述的内存装置，其特征在于，所述全局驱动器电源电路包括第二p型mtcmos，耦接所述供应电源和所述控制信号，受所述控制信号控制，产生并供应第二多阈值电源信号给每个所述内存库...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣镇，李光庚，裴丞哲，李刚敏，全相珉，尹舜炳，
申请(专利权)人：美商矽成积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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