半导体器件的处理方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的处理方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括碳化硅衬底和位于所述碳化硅衬底一侧的外延层；对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理；在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或者等于所述碳化硅衬底的厚度；在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成金属层，且所述金属层填充所述凹槽。本发明专利技术的半导体器件的处理方法，通过在碳化硅衬底上进行背面凹槽刻蚀，并在凹槽中填充金属，使得半导体器件能够获得更好的散热结构以及更低的电阻率。本发明专利技术还公开了一种半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体地说，本专利技术涉及一种半导体器件的处理方法及半导体器件。

技术介绍

1、如图5所示，半导体器件的背面工艺普遍流片技术是：正面贴膜保护→背面减薄→撕膜→背面金属。

2、随着功率器件追求更好的散热以及更低的电阻率，要求功率器件达到更好的导通效果，也即传统工艺中采用背面减薄+金属淀积的方式，已经很难满足半导体器件对低导通电阻的要求了。

3、希望提供一种改进的半导体器件的处理方法。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种半导体器件的处理方法，目的是降低半导体器件的导通电阻。

2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：半导体器件的处理方法，包括：

3、提供半导体器件，所述半导体器件包括碳化硅衬底和位于所述碳化硅衬底一侧的外延层；

4、对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理；

5、在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体器件的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理包括：将所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧减薄至170～190um。

3.根据权利要求1至2任一所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成所述凹槽包括：使用激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行激光处理。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，使用所述激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行激光处理包括：使用所述激光器对所述碳化硅衬底...

【技术特征摘要】

1.半导体器件的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理包括：将所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧减薄至170～190um。

3.根据权利要求1至2任一所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成所述凹槽包括：使用激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行激光处理。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，使用所述激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行激光处理包括：使用所述激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行多次激光处理以形成一个侧壁具有预设倾斜角的所述凹槽。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，使用所述激光器对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行多次激光处理以形成一个侧壁具有所述预设倾斜角的所述凹槽包括：依次使用所述激光器的第一光斑和第二光斑进行激光处理，所述第一光斑的直径大于所述第二光斑的直径，且所述第一光斑的激光处理深度小于所述第二光斑的激光处理深度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的处理方法，其特征在于，使用所述激光器对所述碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：文龙芳，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：