【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种碳化硅功率器件的制备方法、碳化硅功率器件及电子设备。
技术介绍
1、在制备碳化硅(sic)功率器件过程中，由于离子在sic中的扩散速度比在硅中的扩散速度慢，只能依靠高能高温注入实现杂质分布，而传统硅基自对准工艺使用的光刻胶在高温下容易碳化分解，无法校准且无法使用。
2、目前，制备sic功率器件的自对准工艺通常采用氧化硅工艺形成固定区域来进行高温离子注入，然而，氧化硅的耐高温性差，形成的固定区域并不稳定，影响成品器件的良品率。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种碳化硅功率器件的制备方法、碳化硅功率器件及电子设备，制备的碳化硅功率器件的离子注入窗口耐高温，稳定性好。
2、第一方面，本申请提供了一种碳化硅功率器件的制备方法，该方法包括：
3、提供碳化硅层；
4、在所述碳化硅层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括至少一个第一注入窗口；
5、在所述第一掩膜层背...
【技术保护点】
1.一种碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括接触层和保护层，所述保护层的熔点高于所述离子注入的温度，所述在所述第一掩膜层背离所述碳化硅层的一面形成第二掩膜层，包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层基于多晶硅或氧化硅形成，所述接触层基于有机硅化合物形成。
4.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述接触层通过热氧化工艺或沉积工艺形成。
5.根据权利要求2所述的碳化硅功...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括接触层和保护层，所述保护层的熔点高于所述离子注入的温度，所述在所述第一掩膜层背离所述碳化硅层的一面形成第二掩膜层，包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层基于多晶硅或氧化硅形成，所述接触层基于有机硅化合物形成。
4.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述接触层通过热氧化工艺或沉积工艺形成。
5.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
6.根据权利要求2-5任一项所述的碳化硅功率器件的制备方法，其特征在于，在所述第一掩膜层背离所述碳化硅层的一面形成第二掩...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘淳，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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