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本申请公开了一种碳化硅功率器件的制备方法、碳化硅功率器件及电子设备，属于半导体技术领域。该方法包括：提供碳化硅层；在碳化硅层上形成第一掩膜层，第一掩膜层包括至少一个第一注入窗口；在第一掩膜层背离碳化硅层的一面形成第二掩膜层，第二掩膜层沿第一...
该专利属于安徽长飞先进半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽长飞先进半导体有限公司授权不得商用。

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