【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域，更具体地，本专利技术涉及一种沟槽栅结构及其形成方法、碳化硅半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)是一种半导体材料，其具有许多用途所需的特性。所需的sic的这些特性包括高的最大电子速度、高热导率以及高电击穿场强；高的最大电子速度实现高频率下的sic元器件的运行，高热导率为sic元器件简化多余热量的排放，而高电击穿场强为sic元器件实现在高电压水平下的运行。
2、现有的sic mosfet器件大多采用sio2作为栅极绝缘层，将sio2作为栅极绝缘层存在如下问题：
3、(1)由于sic漂移区的高电场导致栅氧化层上的电场很高，栅氧化层存在易击穿的问题；
4、(2)栅极gate与n+层、外延层n-区域形成电容，由于栅氧sio2的介电常数大，以使得寄生电容大大增加。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种沟槽栅结构，旨在改善上述问题。
2、本专利技术是这样实现的，一种沟槽栅结构，所述沟槽栅结构包括：
<...【技术保护点】
1.一种沟槽栅结构，其特征在于，所述沟槽栅结构包括：
2.如权利要求1所述沟槽栅结构，其特征在于，在所述沟槽的每个槽角处形成一个P+注入区，每个所述P+注入区包围所述沟槽的一个所述槽角。
3.如权利要求1所述沟槽栅结构，其特征在于，所述空气绝缘层的厚度为所述栅极绝缘层的1～3倍。
4.一种权利要求1至3任一项所述沟槽栅结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
5.如权利要求4所述沟槽栅结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极的一侧与所述栅极绝缘层之间设置多个所述牺牲层去除孔。
6.如权利要求5所述沟槽栅结构的...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅结构，其特征在于，所述沟槽栅结构包括：
2.如权利要求1所述沟槽栅结构，其特征在于，在所述沟槽的每个槽角处形成一个p+注入区，每个所述p+注入区包围所述沟槽的一个所述槽角。
3.如权利要求1所述沟槽栅结构，其特征在于，所述空气绝缘层的厚度为所述栅极绝缘层的1～3倍。
4.一种权利要求1至3任一项所述沟槽栅结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
5.如权利要求4所述沟槽栅结构的形成方法，其特征在于，在所述栅极的一侧与所述栅极绝缘层之间设置多个所述牺牲层去除孔。...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，钟敏，潘辉，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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