温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种沟槽栅结构及其形成方法、碳化硅半导体器件及其形成方法，该沟槽栅结构包括：位于沟槽内的栅极绝缘层及栅极，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极的侧壁；空气绝缘层，位于所述栅极的底部与所述栅极绝缘层之间。在沟槽栅中引入空气绝缘层，一方面，在沟...
该专利属于安徽长飞先进半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽长飞先进半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。